第五章半导体器件工艺学之光刻.pptVIP

接触式光刻机20世纪70年代使用，用于5μm及以上尺寸特点：掩膜版容易损坏易受颗粒沾污高分辨率，可以实现亚微米（0.4μm）线宽第29页，共65页，星期日，2025年，2月5日接触式光刻机第30页，共65页，星期日，2025年，2月5日接近式光刻机由接触式发展来，70年代使用，用于2μm—4μm尺寸线宽特点：与接触式相比减少了沾污问题掩膜版的寿命也较长由于光的衍射而分辨率降低第31页，共65页，星期日，2025年，2月5日接近式光刻机第32页，共65页，星期日，2025年，2月5日接近式光刻机上的边缘衍射和表面反射第33页，共65页，星期日，2025年，2月5日接触和接近式光刻机第34页，共65页，星期日，2025年，2月5日扫描投影式光刻机70年代末80年代初，现在仍有使用，用来实现1μm的非关键层使用1：1掩膜版特点：亚微米尺寸的掩膜版制作困难第35页，共65页，星期日，2025年，2月5日扫描投影式光刻机第36页，共65页，星期日，2025年，2月5日步进扫描式光刻机近年主流设备，用于形成0.25μm及以下尺寸使用投影掩膜版（1：1，4：1，5：1，10：1）特点：高分辨率精度易受环境影响（如振动）光路复杂，设备昂贵第37页，共65页，星期日，2025年，2月5日步进扫描光刻机第38页，共65页，星期日，2025年，2月5日步进投影式光刻机第39页，共65页，星期日，2025年，2月5日非光学曝光电子束曝光X射线曝光离子束曝光第40页，共65页，星期日，2025年，2月5日电子束曝光机第41页，共65页，星期日，2025年，2月5日2.曝光光源：最常用的两种紫外光源：汞灯准分子激光汞灯：发出240nm—500nm之间的辐射准分子激光：248nm氟化氪激光器（常用）193nm氟化氩激光器（下一代技术）157nm波长的激光器（潜在的0.15μmCD的光源）先进和特殊用途的光源：X射线电子束离子束第42页，共65页，星期日，2025年，2月5日3.光学光刻特性光谱数值孔径分辨率焦深第43页，共65页，星期日，2025年，2月5日①光谱DUV（248nm—193nm）VUV（157nm）EUV（13nm）光刻区域：黄灯第44页，共65页，星期日，2025年，2月5日②透镜的数值孔径数值孔径（NA）：透镜收集衍射光的能力NA测量透镜能够接收多少衍射光，并且通过把这些衍射光会聚到一点成像NA=透镜的半径/透镜的焦长可以通过增加镜头半径来增加NA并俘虏更多衍射光的方式。这也意味着光学系统更加复杂更加昂贵。第45页，共65页，星期日，2025年，2月5日③分辨率分辨率R=Kλ/NA该公式表示影响光刻胶上形成几何图形的能力的参数有:波长λ、数值孔径NA、工艺因子K第46页，共65页，星期日，2025年，2月5日第五章半导体器件工艺学之光刻第1页，共65页，星期日，2025年，2月5日§5-1光刻材料一、概述制作掩膜版将掩膜版上的图形转移到硅片表面的光敏薄膜上刻蚀离子注入（掺杂）第2页，共65页，星期日，2025年，2月5日光刻使用光敏光刻胶材料和受控制的曝光形成三维图形光刻是IC制造中关键步骤1/3成本、40%—50%生产时间、决定CD多次光刻光刻材料：光刻胶掩膜版第3页，共65页，星期日，2025年，2月5日二、光刻胶（PR）1.光刻胶的特性及作用是一种光敏材料通过曝光使光刻胶在显影液中的溶解度发生改变可溶→不可溶（负胶）不可溶→可溶（正胶）光刻胶的作用：保护下层材料光刻胶：负性光刻胶正性光刻胶第4页，共65页，星期日，2025年，2月5日2.光刻胶的组成

树脂感光剂溶剂另外还有添加剂第5页，共65页，星期日，2025年，2月5日负性光刻胶树脂（可溶于显影液）曝光后感光剂产生自由基自由基使树脂交联而不溶于显影液显影后图形与掩膜版相反第6页，共65页，星期日，2025年，2月5日正性光刻胶树脂（本身是可溶于显影液，感光剂是一种强力溶解抑制剂）曝光后感光剂产生酸酸提高树脂在显影液中的溶解度显影后图形与掩膜版相同第7页，共65页，星期日，2025年，2月5日对比：正、负光刻胶负胶：显影泡胀而变形