电力电子仿真：直流-交流逆变器仿真_（4）.电力电子器件特性.docxVIP

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电力电子器件特性

1.二极管特性

1.1二极管的基本结构和工作原理

二极管是一种基本的电力电子器件，其主要功能是单向导电。二极管的基本结构由P型和N型半导体材料组成，形成一个PN结。当正向电压（阳极电压高于阴极电压）施加于二极管时，PN结导通，电流可以流过。当反向电压（阴极电压高于阳极电压）施加于二极管时，PN结截止，电流几乎不能流过。

二极管的正向特性主要表现为正向电压降和正向电流的关系。当正向电压达到一定值（称为导通电压）时，正向电流迅速增加。常见的硅二极管的导通电压约为0.7V，而锗二极管的导通电压约为0.3V。反向特性则表现为反向电压和反向漏电流的关系。在反向电压较低时，反向漏电流非常小，但当反向电压超过一定值（称为击穿电压）时，反向漏电流急剧增加，导致二极管损坏。

1.2二极管的仿真模型

在电力电子仿真中，二极管通常使用理想二极管模型或基于物理模型的二极管模型进行仿真。理想二极管模型假设二极管在正向导通时电压降为0V，反向截止时电流为0A。这种模型适用于简单的电路仿真，但在更复杂的仿真中，基于物理模型的二极管模型更为准确。

1.2.1理想二极管模型

理想二极管模型在仿真软件中非常简单。在PSpice中，可以使用以下代码来定义一个理想二极管：

*IdealDiodeModel

.modelD1D(IS=1E-14RS=0.1BV=1000IBV=1E-3CJO=0VJ=0.75M=0.5FC=0.5TT=0)

D112D1

1.2.2基于物理模型的二极管

基于物理模型的二极管更准确地反映了实际二极管的行为。在PSpice中，可以使用以下代码来定义一个基于物理模型的二极管：

*PhysicalDiodeModel

.modelD2D(IS=1E-14RS=0.1BV=1000IBV=1E-3CJO=0VJ=0.75M=0.5FC=0.5TT=0)

D212D2

在这个模型中，IS表示反向饱和电流，RS表示正向导通电阻，BV表示击穿电压，IBV表示击穿电流，CJO表示结电容，VJ表示势垒电压，M表示势垒系数，FC表示前锋系数，TT表示过渡时间。

1.3二极管的伏安特性曲线

二极管的伏安特性曲线是描述二极管正向和反向特性的关键。正向特性曲线通常呈指数关系，而反向特性曲线则在击穿电压附近急剧变化。

1.3.1PSpice中的二极管伏安特性曲线仿真

在PSpice中，可以通过以下步骤仿真二极管的伏安特性曲线：

创建一个新的电路文件。

添加一个电压源和一个二极管。

设置电压源的扫描范围。

运行仿真并查看结果。

*DiodeV-ICharacteristicSimulation

V101DC0VAC0VPWL(001000u01001u10V2000u10V)

D112D2

.modelD2D(IS=1E-14RS=0.1BV=1000IBV=1E-3CJO=0VJ=0.75M=0.5FC=0.5TT=0)

.tran1ms

.plottranV(1)I(D1)

.end

在这个仿真电路中，V1是一个分段线性电压源，从0V逐渐增加到10V。D1是一个基于物理模型的二极管。通过运行瞬态仿真（.tran1ms），可以观察到二极管的正向和反向特性曲线。

2.晶闸管特性

2.1晶闸管的基本结构和工作原理

晶闸管是一种可控的半导体器件，其基本结构由四个PN结组成，形成一个三端器件：阳极（A）、阴极（K）和门极（G）。晶闸管的主要特性是通过门极信号控制其导通和截止状态。当门极信号施加时，晶闸管从截止状态转变为导通状态，一旦导通，即使门极信号消失，晶闸管也会继续保持导通状态，直到阳极电压低于阴极电压。

2.2晶闸管的仿真模型

在电力电子仿真中，晶闸管通常使用理想模型或基于物理模型的晶闸管进行仿真。理想模型假设晶闸管在导通时电压降为0V，截止时电流为0A。基于物理模型的晶闸管则更加详细地反映了实际晶闸管的行为。

2.2.1理想晶闸管模型

理想晶闸管模型在仿真软件中非常简单。在PSpice中，可以使用以下代码来定义一个理想晶闸管：

*IdealThyristorModel

.modelT1T(VPT=0.7VPD=0.7VBT=1000)

T1123T1

在这个模型中，VPT表示正向导通电压，VPD表示反向导通电压，VBT表示击穿电压。

2.2.2基于物理模型的晶闸管

基于物理模型的晶闸管更准确地反映了实际晶闸管的行为。在PSpice中，可以使用以下代码来定义一个基于物理模型的晶闸管：

*PhysicalThyrist