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分子束外延法制备垂直磁化L10-MnGa薄膜及其异质结构的磁性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，自旋电子学器件因其独特的优势，如低功耗、高速度、高存储密度等，在现代电子领域中展现出巨大的应用潜力，成为了研究的热点。在众多自旋电子学器件中，垂直磁各向异性材料是关键的组成部分，它对于实现器件的高性能和小型化起着至关重要的作用。

L10-MnGa薄膜作为一种具有优异特性的垂直磁各向异性材料，在自旋电子学器件中具有重要的应用价值。理论上预言，不含贵金属和稀土元素的L10相（四方面心结构）的铁磁MnGa同时具有高垂直磁晶各向异性、高磁距、高磁能积、高自旋极化度、超低磁阻尼因子等一系列优异特性。其高垂直磁晶各向异性使得在垂直于薄膜平面方向上更容易实现磁矩的取向控制，这对于提高存储密度和数据读写的准确性具有重要意义。在超高密度垂直磁记录领域，L10-MnGa薄膜有望支持超过现有技术水平的记录密度，如超过27Tb/inch2的垂直磁记录，为大数据时代的数据存储提供了更高效的解决方案。在高性能永磁体方面，其高磁能积和高矫顽力的特性，使其有可能取代目前广泛使用但原材料短缺、加工困难、容易污染环境的稀土永磁材料，降低生产成本的同时，减少对环境的影响。在自旋电子学器件中，如磁电阻随机存储器（MRAM），L10-MnGa薄膜的低磁阻尼因子和高自旋极化度能够显著提高器件的读写速度和降低功耗，有望实现非挥发、超高速、低功耗的存储功能；在磁性传感器和硬盘读头中，可实现高空间分辨率、高灵敏度的磁场探测，满足生物医学检测、地质勘探等领域对高灵敏度磁场检测的需求；在高功率微波振荡器、自旋光隔离器和自旋场效应管等器件中，也能凭借其独特的磁性和电学性质发挥重要作用。

分子束外延（MBE）生长技术作为一种先进的薄膜制备技术，在制备L10-MnGa薄膜及其异质结构方面具有显著的优势。MBE技术是在超高真空环境下，将原子或分子束蒸发后直接喷射到衬底表面进行外延生长。这种技术能够实现原子级别的精确控制，精确调控薄膜的厚度、成分和晶体结构，从而制备出具有高质量、低缺陷密度和优良晶体结构的L10-MnGa薄膜。在生长过程中，通过精确控制分子束的能量、角度和流量等参数，可以实现对薄膜材料成分和厚度的精准控制，制备出厚度精确到原子层的薄膜。超高真空环境有效减少了气体分子和杂质对生长过程的干扰，保证了材料的纯度和生长质量，有利于获得化学有序度高、缺陷少的L10-MnGa薄膜，进而提高薄膜的磁性和其他物理性能。MBE技术还具备优秀的温度和压力控制功能，能够在不同热力学条件下实现材料生长，确保薄膜材料的质量和均匀性，为研究不同生长条件下L10-MnGa薄膜的磁性变化提供了可能。

综上所述，对垂直磁化L10-MnGa薄膜及其异质结构进行分子束外延生长与磁性研究，不仅有助于深入理解L10-MnGa薄膜的生长机制和磁性特性，还能为自旋电子学器件的发展提供关键的材料基础和技术支持，具有重要的科学意义和实际应用价值。

1.2国内外研究现状

国内外在L10-MnGa薄膜生长与磁性研究方面已经取得了一系列重要进展。

在薄膜生长方面，中国科学院半导体研究所的赵建华研究员课题组取得了突破性成果。他们通过分子束外延方法在半导体GaAs衬底上，首次实现了均匀的L10-Mn1.5Ga高品质单晶薄膜的外延生长。研究发现，该薄膜在室温环境中表现出4.3T的超高垂直矫顽力、超过21.7Merg/cc的超强磁晶各向异性，同时还具有可以与稀土永磁体相媲美的磁能积以及接近完美矩形的磁滞回线。利用北京同步辐射装置4B9A-衍射实验站测得的X-射线衍射曲线，计算了MnGa多功能薄膜的化学有序度、应力水平和缺陷水平，为解释该材料超高矫顽力的来源提供了有力证据，发现其超高矫顽力来源于垂直磁各向异性、化学无序、晶格缺陷和应力的共同贡献。肖嘉星等人采用分子束外延的方法，在半导体GaAs衬底上成功制备出了一系列不同厚度（1-5nm）的L10-Mn1.67Ga薄膜。生长过程中反射式高能电子衍射原位检测以及X射线衍射结果均表明了其良好的单晶相，磁性测量结果表明，厚度在1nm以上的L10-Mn1.67Ga薄膜均可以保持垂直磁各向异性特征，厚度为5nm的L10-Mn1.67Ga薄膜的垂直磁各向异性能可达到14.7Merg/cm3。

国外的研究团队也在L10-MnGa薄膜生长领域开展了深入研究。部分团队通过优化分子束外延的生长参数，如生长温度、原子束流比例等，成功制备出了具有不同化学计量比和结构的L10-MnGa