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硅纳米线与多孔硅：制备工艺、表面修饰及性能优化的深度研究

一、引言

1.1研究背景与意义

硅作为地球上储量丰富的元素，是半导体工业及太阳能电池的主要原料，其独特的光电特性在现代科技中扮演着重要角色。随着纳米技术的飞速发展，硅纳米线和多孔硅等纳米结构硅材料应运而生，展现出与本体硅截然不同的优异性能，在众多领域呈现出广阔的应用前景，成为材料科学领域的研究热点。

硅纳米线是一种具有高长径比的一维纳米材料，具备大的比表面积、优异的电学性能、良好的机械性能和光学性能。其特殊的结构使得电子在其中传输时受到量子限域效应的影响，从而展现出独特的电学特性，例如较高的载流子迁移率，这为其在高性能电子器件中的