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工艺整合招聘题目及答案

单项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体制造中，光刻的主要作用是（）

A.去除杂质B.定义图形C.增加导电性D.提高硬度

2.以下哪种工艺用于在晶圆表面生长一层二氧化硅（）

A.刻蚀B.溅射C.氧化D.离子注入

3.化学机械抛光（CMP）主要目的是（）

A.提高晶圆平整度B.增加晶圆厚度C.改变晶圆颜色D.降低晶圆温度

4.离子注入的主要作用是（）

A.改变半导体的电学性质B.去除表面氧化层C.增强晶圆机械强度D.提高晶圆透明度

5.光刻工艺中，光刻胶的作用是（）

A.保护晶圆B.吸收光线C.定义图形D.增加导电性

6.湿法刻蚀与干法刻蚀相比，优点是（）

A.刻蚀精度高B.选择性好C.无污染D.速度慢

7.物理气相沉积（PVD）不包括以下哪种方法（）

A.蒸发B.溅射C.化学气相沉积D.离子镀

8.晶圆清洗的主要目的是（）

A.去除表面杂质B.改变晶圆形状C.提高晶圆温度D.增加晶圆重量

9.以下哪种工艺用于形成金属互连（）

A.光刻B.刻蚀C.化学气相沉积D.电镀

10.工艺整合的核心目标是（）

A.降低成本B.提高产量C.优化工艺流程D.以上都是

多项选择题（每题2分，共10题）

1.半导体制造工艺主要包括（）

A.光刻B.刻蚀C.沉积D.离子注入

2.光刻工艺涉及的主要步骤有（）

A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀

3.刻蚀工艺可分为（）

A.湿法刻蚀B.干法刻蚀C.化学刻蚀D.物理刻蚀

4.沉积工艺可分为（）

A.物理气相沉积B.化学气相沉积C.电镀D.氧化

5.离子注入工艺的关键参数有（）

A.离子能量B.离子剂量C.注入角度D.注入时间

6.化学机械抛光（CMP）的影响因素有（）

A.压力B.转速C.抛光液成分D.晶圆材料

7.晶圆清洗工艺可采用的方法有（）

A.湿法清洗B.干法清洗C.超声波清洗D.等离子清洗

8.工艺整合需要考虑的因素有（）

A.工艺兼容性B.设备利用率C.成本控制D.产品良率

9.半导体制造中的常见缺陷有（）

A.颗粒污染B.光刻缺陷C.刻蚀不均匀D.薄膜厚度偏差

10.提高工艺整合效率的方法有（）

A.优化工艺流程B.采用先进设备C.加强人员培训D.建立完善的监控体系

判断题（每题2分，共10题）

1.光刻工艺是半导体制造中定义图形的关键工艺。（）

2.湿法刻蚀比干法刻蚀的刻蚀精度高。（）

3.离子注入可以精确控制杂质的浓度和分布。（）

4.化学机械抛光（CMP）只能用于晶圆表面的平坦化。（）

5.晶圆清洗只需要去除表面的有机物杂质。（）

6.物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）的原理相同。（）

7.工艺整合只需要考虑单个工艺的优化，不需要考虑工艺之间的兼容性。（）

8.光刻胶在曝光后会发生化学变化，从而实现图形的转移。（）

9.刻蚀工艺的目的是去除不需要的材料，保留需要的图形。（）

10.提高工艺整合效率可以降低生产成本，提高产品质量。（）

简答题（每题5分，共4题）

1.简述光刻工艺的基本原理。

光刻是利用光刻胶的感光特性，通过掩膜版将设计好的图形转移到晶圆表面光刻胶上。先涂光刻胶，再曝光使光刻胶发生化学变化，显影去除特定部分光刻胶，从而在晶圆上留下图形。

2.离子注入工艺有什么优缺点？

优点：能精确控制杂质浓度和分布、可低温操作；缺点：会造成晶格损伤，需后续退火修复，设备昂贵，成本较高。

3.化学机械抛光（CMP）的作用是什么？

CMP主要作用是对晶圆表面进行全局平坦化，去除表面高低起伏，使晶圆表面达到极高平整度，以满足后续工艺对表面平整度的要求，确保多层布线等工艺正常进行。

4.工艺整合的重要性体现在哪些方面？

工艺整合可优化工艺流程，提高产品良率和性能，降低生产成本，提高设备利用率，增强企业竞争力，确保各工艺环节相互兼容、协同工作。

讨论题（每题5分，共4题）

1.讨论光刻工艺中影响图形精度的因素有哪些。

光刻工艺中，光刻胶性能、曝光设备分辨率、掩膜版精度、曝光剂量和显影条件等都会影响图形精度。光刻胶感光度、对比