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第94页，共173页，星期日，2025年，2月5日（2）特点优点：K、Na离子沾污轻；能够蒸发熔点在2000℃以上的材料或难熔金属；蒸发速率大；台阶覆盖性好；膜厚控制好。缺点：导致辐射损伤；蒸发合金时，蒸发所得薄膜的成分与蒸发源的成分会有差异。蒸发后应当采用退火的方法来消除辐射损伤。退火条件：380℃~500℃，N2或N2+H2混合气氛中退火15~40min。第95页，共173页，星期日，2025年，2月5日5、蒸发工艺中影响薄膜质量的因素（1）金属膜淀积前硅片的清洗2号清洗剂（HCl:H2O2:H2O=1:2:8）煮，2.5%HF酸腐蚀90秒，冷去离子水冲洗，甩干。（2）蒸发速率蒸发速率过低，金属膜不光亮，电阻大，键合困难；蒸发速率过高，会在硅片表面形成金属原子团淀积小丘，影响光刻，且厚度也不易控制。（3）蒸发源的合金成分为了防止合金化时硅向铝中溶解而引起PN结穿通，可采用Al-Si(1~2%)合金蒸发源；为了提高铝膜的抗电迁移能力，可采用Al-Cu(1~4%)或Al-Si-Cu(含Cu4%，含Si1%)合金源。第96页，共173页，星期日，2025年，2月5日（4）衬底温度较高的衬底温度可使蒸发薄膜与Si、SiO2粘附得更好，有利于降低接触电阻，膜的晶粒越大，台阶处的连续性越好。（5）蒸发后金属膜的合金化将光刻好金属化布线的硅片在真空中或干N2或N2+H2（3:1）混合气体的保护下加热到一定温度并保持足够时间的过程。目的：改进金属化薄膜与衬底（Si或SiO2）之间的粘附性，并与硅之间形成良好的欧姆接触；消除电子束蒸发引起的辐射损伤；保证双层布线间的良好接触。合金温度：380℃~450℃，时间：15~30min。第97页，共173页，星期日，2025年，2月5日(二)、溅射镀膜1、溅射镀膜的基本原理用高能粒子（经电场加速的正离子）冲击作为阴极的固态靶，靶原子与这些高能粒子交换能量后从表面飞出，淀积在作为阳极的硅片上，形成薄膜。直流二极溅射台第98页，共173页，星期日，2025年，2月5日高频溅射台第99页，共173页，星期日，2025年，2月5日2、溅射镀膜方法离子溅射镀膜过程分为三步：离子的产生、离子对靶的轰击引起溅射、从靶材料溅射出来的粒子对基片的淀积。其中前两步与离子溅射刻蚀相同。在第三步中，从靶材料溅射出来的粒子，在真空环境中向基片作渡越运动，碰撞到基片后被基片吸附而淀积成薄膜。离子溅射镀膜技术有直流溅射、射频溅射、磁控溅射、离子束溅射、反应溅射等。第100页，共173页，星期日，2025年，2月5日3、溅射镀膜的特点(1)由于淀积粒子的能量较高，膜与衬底的粘附性更好。(2)可用于难熔金属膜的淀积。(3)溅射膜的合金成份与靶的合金成份比例基本相同。(4)溅射膜对衬底的台阶覆盖更好。(5)与电阻加热器蒸发相比，减小了K、Na离子的沾污。(6)与电子束蒸发相比，溅射电压较低，尤其是磁控溅射，电压约为300~700V，从而大大降低了硅片的辐射损伤。(7)淀积速率比蒸发慢。第101页，共173页，星期日，2025年，2月5日(三)、化学气相淀积（CVD）技术包括常压、低压、等离子增强CVD等技术。优点：(1)薄膜的成分精确可控。(2)淀积速率一般高于物理气相淀积，如蒸发、溅射等。(3)厚度范围广，由几十纳米至数毫米，且能大量生产。(4)膜的结构完整、致密，与衬底粘附性好，台阶覆盖性好。第102页，共173页，星期日，2025年，2月5日§5.3金属化互连技术(一)、金属化系统金属化互连线分为两大类：(1)以铝为主的金属化系统，可以不加接触层、粘附层和阻挡层等，工艺简单，容易与铝丝键合，产品价格低廉，因而获得了广泛的使用。但抗电迁移能力差。(2)以金为主的金属