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磁控溅射技术制备氮化硅薄膜的多维度特性探究

一、磁控溅射技术理论基础与氮化硅薄膜制备原理

（一）磁控溅射技术核心机制

磁控溅射技术是在二极溅射的基础上发展而来，其核心在于巧妙地引入磁场，通过电场与磁场的协同作用，极大地优化了薄膜沉积过程。在传统二极溅射系统中，电子从阴极出发，在电场作用下加速飞向阳极，这一过程中电子与工作气体原子（通常为氩气）的碰撞概率较低，导致气体离化率有限，仅为0.3%-0.5%。而磁控溅射通过在靶阴极表面设置特殊的磁场结构，使电子在电场（E）和磁场（B）的共同作用下，产生E×B漂移。这种漂移使得电子的运动轨迹不再是简单的直线，而是近似摆线，在靶材表面做螺旋运动。

电子在这种复杂的运动过程中，与氩气原子的碰撞频率大幅增加，从而显著提高了气体的离化率，可达到5%-6%。高离化率意味着更多的氩离子被产生，这些高能氩离子在电场作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，进而实现了高速的薄膜沉积。此外，由于电子的运动被约束在靶材表面附近的等离子体区域内，其能量消耗更加充分，传递给基片的能量较小，使得基片温升较低，有效减少了对基片的热损伤，这对于一些对温度敏感的材料或器件来说至关重要。

从磁场位形的角度来看，磁控溅射主要分为平衡态和非平衡态两种类型。平衡态磁控溅射的特点是靶源的内外磁体产生的磁场强度相对均衡，磁力线主要闭合于靶面附近。在这种情况下，等离子体被有效地约束在靶材表面的跑道区域，使得靶材表面受到高密度的离子轰击，从而能够在较大面积的基底上获得较为均匀的薄膜沉积，适用于对薄膜均匀性要求较高的应用，如半导体光学膜的制备。

非平衡态磁控溅射则打破了这种磁场的平衡，通过调整磁体的结构或强度，使外环磁场强度高于芯部磁场强度，部分磁力线延伸到基片区域。这样一来，等离子体不再被完全限制在靶材表面，而是能够扩散到基片附近。这不仅增加了镀膜区域的离子浓度，使衬底离子流密度显著提高（通常可达5mA/cm2以上），而且在镀膜前，离子轰击可以清洗工件表面的氧化层和杂质，活化工件表面，形成伪扩散层，有助于提高膜基结合力；在镀膜过程中，载能的带电粒子轰击作用可以对膜层进行改性，使膜层更加致密、均匀，结合力更强，因此在制备硬质涂层、磨损装饰膜等对膜基结合力和膜层质量要求较高的领域得到广泛应用。

（二）氮化硅薄膜反应溅射原理

氮化硅薄膜的制备通常采用反应溅射的方法，以纯硅靶材为溅射源，在氩气（Ar）与氮气（N?）的混合气氛中进行。当溅射过程启动时，氩气在电场作用下被电离成氩离子（Ar?），这些高能氩离子在电场的加速下轰击硅靶材表面。由于离子的轰击能量较高，靶材表面的硅原子获得足够的能量后脱离靶材表面，形成硅原子束。

硅原子在飞向基片的过程中，与反应气体氮气发生化学反应。在基片表面，硅原子与氮原子结合，逐渐形成Si?N?薄膜。这一化学反应过程可以简单表示为：3Si+2N?→Si?N?。在这个过程中，N?/Ar分压比是一个关键的工艺参数，它对薄膜的化学计量比和性能有着重要影响。当氮气比例增加时，硅原子与氮原子碰撞反应的概率增大，有利于Si-N键的形成，从而提升薄膜中的氮含量。适当提高氮含量可以改善薄膜的硬度、耐磨性和化学稳定性等性能。

然而，氮气分压过高也会带来一些负面影响。一方面，过多的氮气会导致溅射过程中靶材表面形成一层绝缘性的氮化硅层，这会阻碍离子的轰击，降低溅射速率；另一方面，过高的氮含量可能会使薄膜的脆性增加，降低其机械性能。因此，在实际制备过程中，需要精确调节N?/Ar分压比，以在保证薄膜性能的前提下，获得合适的溅射速率和膜层质量。通常，通过实验和理论模拟相结合的方法，确定最佳的N?/Ar分压比范围，从而实现对氮化硅薄膜性能的有效调控。

二、磁控溅射制备氮化硅薄膜的关键工艺参数优化

（一）气体组分与分压比的影响

在磁控溅射制备氮化硅薄膜的过程中，N?/Ar分压比作为一个核心的工艺参数，对薄膜的成分、结构以及性能有着至关重要的影响。当N?/Ar分压比较低时，溅射室内的氮气含量相对较少，硅原子在飞向基片的过程中与氮原子碰撞反应的概率较低。这使得薄膜主要以富硅结构为主，薄膜中Si-Si键的含量相对较高，而Si-N键的含量较低。

随着N?/Ar分压比的逐渐升高，溅射室内的氮气浓度增加，硅原子与氮原子的碰撞反应概率增大，更多的Si-N键得以形成。通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）分析可以发现，随着Si-N键含量的增加，其对应的红外吸收峰逐渐变宽，并向高波数偏移。这是因为Si-N键的振动模式发生了变化，高波数的吸收峰对应着更强的化学键振动，表明薄膜中的Si-N键数量增加，薄膜的氮化程度提高。

在薄膜的力学性能方面，硬度和耐磨性是两个重要的指标。研究表明，随着N?/Ar分压