超声波检测第三章.pptVIP

2、按缺陷显示方式分类iiB型显示超声探伤仪以屏幕面代表被检测对旬由探头移动线和声束决定的截面，纵座标代表声波的传播时间，横座标代表探头的水平位置，它可以显示出缺陷在纵截面上的二维特征。二、超声波探伤仪的分类第28页，共42页，星期日，2025年，2月5日2、按缺陷显示方式分类iiiC型显示超声探伤仪是一种图像显示方式，以屏幕代表被检测对象的投影面，这种显示方式能给出缺陷的水平投影位置，但不能给出深度。二、超声波探伤仪的分类第29页，共42页，星期日，2025年，2月5日二、超声波探伤仪的分类3、按声波通道分类①单通道探伤仪：这种仪器由一个或一对探头单独工作，是目前超声波探伤中应用最广泛的仪器。②多通道探伤仪：这种仪器由多个或多对探头交替工作，每一通道相当于一台单通道探伤仪，适用于自动化探伤。目前，探伤中广泛使用的超声波探伤仪都是A型显示脉冲反射式探伤仪。第30页，共42页，星期日，2025年，2月5日第1页，共42页，星期日，2025年，2月5日超声波探头１、压电效应１）正压电效应晶体材料在外力拉压作用下，产生交变电场的效应称为正压电效应。２）负压电效应晶体材料在交变电场作用下，产生伸缩变形的效应称为负压电效应。ＡＢ－＋＋—a)石英晶体b)正压电效应c)负压电效应第2页，共42页，星期日，2025年，2月5日2、压电材料的主要性能参数1)压电应变常数压电应变常数表示在压电晶体上施加单位电压时所产生的应变大小。式中Ｕ——施加在压电晶片两面的应力Δt——晶片在厚度方向的变形量压电应变常数d33是衡量压电晶体材料发射灵敏度高低的重要参数。D33值越大，发射性能越好，发射灵敏度越高。第3页，共42页，星期日，2025年，2月5日2)压电电压常数压电电压常数表示作用在压电晶体上单位应力所产生的电压梯度大小式中P——施加在压电晶片两面的应力Ｕp——晶片表面产生的电压梯度，即电压Ｕ与晶片厚度t之比，Ｕp＝Ｕ／ｔ压电电压常数g33是衡量压电晶体材料接收灵敏度高低的重要参数。g33值越大，接收性能越好，接收灵敏度越高。2、压电材料的主要性能参数第4页，共42页，星期日，2025年，2月5日3)介电常数介电常数表示在压电晶体上施加单位电压时所产生的应变大小。式中C——电容器电容t——电容器极板距离A——电容器极板面积介电常数越大电容器存贮的电量越大。越小电容器放电时间越快频率越高。2、压电材料的主要性能参数第5页，共42页，星期日，2025年，2月5日4)机电耦合系数机电耦合系数Ｋ，表示压电材料机械难（声能）与电能之间的转换效率当晶片振动时，同时产生厚度和径向两个方向的变形，因此机电耦合系数分为厚度方向Ｋt和径向Ｋp。Ｋt越大探测灵敏度越高。Ｋp越大，低频谐振波增多，发射脉冲变宽，导致分辨率下降，盲区增大。正压电效应负压电效应2、压电材料的主要性能参数第6页，共42页，星期日，2025年，2月5日5)机械品质因子压电晶片在谐振时贮存的机械能Ｅ贮与在一个周期内损耗的能量Ｅ损之比称为机械品质因子。当晶片振动时，同时产生厚度和径向两个方向的变形，因此机电耦合系数分为厚度方向Ｋt和径向Ｋp。Ｋt越大探测灵敏度越高。Ｋp越大，低频谐振波增多，发射脉冲变宽，导致分辨率下降，盲区增大。2、压电材料的主要性能参数第7页，共42页，星期日，2025年，2月5日6)频率常数压电晶片的厚度与因有频率的乘积是一个常数，这个常数叫作频率常数式中cL——晶片中纵波声速t——晶片厚度f0——晶片固有频率晶片材料一定，频率越高，厚度越小2、压电材料的主要性能参数第8页，共42页，星期日，2025年，2月5日7)居里温度压电材料与磁性材料一样，其压电效应与温度有关，它只能在一定的温度范围内产生，超过一定的温度压电效应就会消失。使压电材料的压电效应消失的温度称为压电材料的居里温度，用Ｔc表示。结论：超声波探头对晶片的要求（1）机电耦合系数Ｋ较大，以便获得较高的转换效率（2）机械品质因子较小，以便获得较高的分辨率和较小的盲区（3）压电应变常数和压电电压常数较大，以便获得较高的发射灵敏度和接收灵敏度（4）频率常数Ｎ较大，介电常数较小，以便获得较高的频率（5）居里温度Ｔ较高，声阻抗Ｚ适当2、压电材料的主要性能参数第9页，共42页，星期日，2025年，2月5日3、探头的种类和结构1)直探头（纵波探头）接口外壳电缆线阻尼块压电晶片保护膜直探头用于发射和