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缓冲层对Ge量子点溅射生长的影响：微观机制与性能调控研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，量子点作为一种具有独特物理性质的纳米材料，在光电子、生物医药、信息技术等众多领域展现出了巨大的应用潜力。其中，Ge量子点由于其与Si基材料的兼容性以及优异的光电特性，成为了研究的热点之一。

在光电子领域，Ge量子点有望用于制造高性能的发光二极管（LED）、激光二极管、光电探测器等器件。例如，基于Ge量子点的LED可以实现高效的发光，并且通过调节量子点的尺寸和结构，可以精确控制其发光波长，从而满足不同应用场景的需求。在激光二极管方面，Ge量子点能够降低阈值电流，提高