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非磁性半导体Ge基Al/Ge肖特基结整流磁电阻效应的探索与剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

磁电阻效应作为凝聚态物理领域的重要研究内容，自被发现以来就吸引了众多科研人员的关注。从1856年威廉?汤姆森（开尔文爵士）首次发现磁电阻效应以来，历经一百多年的研究，人们在这一领域取得了丰硕的成果。磁电阻效应是指材料或器件的电阻率随外加磁场的变化而变化的现象，其在磁传感器、磁读出头以及磁存储等领域都有着极为广泛的应用前景。例如，在磁传感器领域，利用磁电阻效应制成的传感器能够检测微弱的磁场变化，在生物医学检测、地质勘探等方面发挥着重要作用；在磁存储领域，磁电阻效应的应用极大地提高了存储密度和读写速度，推动了信息技术的飞速发展。

随着对磁电阻效应研究的不断深入，人们发现了多种不同类型的磁电阻效应，如各向异性磁电阻效应（AMR）、巨磁电阻效应（GMR）、隧穿磁电阻效应（TMR）等。这些不同类型的磁电阻效应各具特点，在不同的领域中展现出独特的优势。例如，GMR效应的发现使得磁存储技术取得了重大突破，计算机硬盘的存储密度得到了极大提高；TMR效应则成为了磁性随机存取内存（MRAM）的科学基础。

在金属-半导体接触领域，肖特基结由于其独特的电学特性一直是研究的热点之一。而Al/Ge肖特基结作为一种典型的金属-半导体结，具有良好的整流特性和稳定性，在半导体器件中有着潜在的应用价值。近年来，山东大学自旋电子学课题组在Al/Ge肖特基结中成功发现了整流磁电阻效应，这一发现为磁电阻效应的研究开辟了新的方向。

整流磁电阻效应指的是输入一个纯的正弦交流电流，测量整流后的直流电压，该整流电压随着磁场显著变化的现象。Al/Ge肖特基结室温下的整流磁电阻效应高达200%，而其直流磁电阻仅有80%，这表明整流磁电阻效应是整流效应和磁电阻效应协同作用的结果，具有独特的物理机制和潜在的应用价值。从学术角度来看，对Al/Ge肖特基结中整流磁电阻效应的研究，有助于深入理解金属-半导体界面的电子输运特性以及磁场对其的影响机制，进一步丰富和完善磁电阻效应的理论体系，为凝聚态物理领域的研究提供新的思路和方法。在应用方面，这种显著的整流磁电阻效应有望开发出新型的磁传感器和磁电调控器件，提高传感器的灵敏度和信噪比，在微弱磁场检测、信息存储与处理等领域展现出广阔的应用前景，为相关技术的发展带来新的突破。

1.2国内外研究现状

在国外，对于磁电阻效应的研究起步较早，取得了一系列具有里程碑意义的成果。例如，1988年法国科学家阿尔贝?费尔和德国科学家彼得?格林贝格尔分别独立发现了巨磁电阻效应，这一发现开启了磁电阻研究的新纪元，使得磁电阻效应在信息存储等领域得到了广泛应用。此后，国外科研团队在磁电阻效应的理论研究和应用开发方面不断深入，对各向异性磁电阻效应、隧穿磁电阻效应等多种磁电阻效应进行了系统研究，在新型磁性材料的制备、磁电阻效应的微观机制探索以及高性能磁电阻器件的研发等方面取得了显著进展。

在Al/Ge肖特基结及整流磁电阻效应研究方面，国外一些科研团队也开展了相关工作。他们通过先进的材料制备技术和精密的测量手段，对Al/Ge肖特基结的结构和电学性能进行了深入研究，探讨了影响肖特基结性能的因素，如界面态、杂质浓度等。然而，对于整流磁电阻效应这一相对较新的研究方向，国外的研究还相对较少，虽然对其基本特性有所了解，但在其产生机理、调控方法以及与其他物理效应的关联等方面，仍存在许多有待深入探索的问题。

国内在磁电阻效应研究领域也取得了长足的进步。众多科研机构和高校的研究团队在磁性材料的制备、磁电阻效应的实验研究和理论计算等方面开展了大量工作，取得了一系列具有国际影响力的成果。山东大学的研究团队在磁性半导体材料与器件中的磁电阻效应研究方面成果卓著，首次在Al/Ge肖特基结中发现了整流磁电阻效应，并对其特性进行了初步研究。此外，国内其他团队也在不断探索磁电阻效应在不同材料体系和结构中的表现，以及其在传感器、存储器等领域的应用潜力。

尽管国内外在Al/Ge肖特基结及整流磁电阻效应研究方面已经取得了一定的成果，但目前仍存在一些研究空白与不足。在整流磁电阻效应的产生机理方面，虽然已经提出了一些理论模型，但仍缺乏统一、完善的理论来全面解释这一复杂的物理现象，不同模型之间的争议和矛盾也有待进一步解决。在整流磁电阻效应的调控方面，目前的研究方法还相对有限，调控效果也不够理想，如何实现对整流磁电阻效应的有效调控，以满足不同应用场景的需求，是亟待解决的问题。此外，对于Al/Ge肖特基结中整流磁电阻效应与其他物理效应（如热效应、光效应等）的相互作用和耦合机制，目前的研究还几乎处于空白状态，这也为后续的研究提供了广阔的空间。

1.3研究内容与