基于分子动力学模拟探究半导体Si力学性能与点缺陷运动机制.docxVIP

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2025-11-17 发布于上海
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基于分子动力学模拟探究半导体Si力学性能与点缺陷运动机制.docx

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基于分子动力学模拟探究半导体Si力学性能与点缺陷运动机制

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代信息技术的基石，在电子、通信、能源等众多领域发挥着举足轻重的作用。其中，硅（Si）凭借其优越的电学性能、良好的工艺适应性以及丰富的储量，成为了应用最为广泛的半导体材料之一。从早期的晶体管到如今高度集成的大规模集成电路，Si材料始终占据着半导体产业的核心地位，是制造微处理器、存储器、逻辑芯片、模拟芯片等各类电子器件的关键基础。例如，在计算机领域，Si基芯片的性能直接决定了计算机的运行速度和处理能力；在智能手机中，Si材料制成的芯片则支撑着手机的各种功能，如通信、拍照、计算等。此外