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氧化锌基电阻型随机存储器：性能剖析与机理探究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的飞速发展，数据量呈爆炸式增长，对存储技术的要求也日益提高。传统的存储技术，如闪存（Flash），在存储密度、读写速度和功耗等方面逐渐接近物理极限，难以满足不断增长的存储需求。因此，开发新型高性能存储技术成为当前研究的热点。

阻变存储器（RRAM）作为一种极具潜力的新型非易失性存储器，具有结构简单、非破坏性读取、读写速度快、高保持性和低功耗等显著优势。RRAM的基本结构通常为三明治结构，即金属电极/绝缘层或半导体层/金属电极（MIM）。通过在电极两端施加外加电场，器件的电阻能够在高阻态与低阻态