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多孔硅光电性能：从基础原理到应用探索

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代光电子领域中，硅材料由于其成熟的制备工艺和在微电子领域的广泛应用，一直是研究的重点对象。然而，硅作为间接带隙材料，其固有的光致发光和电致发光效率极低的特性，极大地限制了它在光电器件中的应用。1990年，多孔硅的光致发光及电致发光现象被发现，这一突破为实现全硅基光电器件带来了新的曙光，自此多孔硅成为了光电子领域的研究热点。

多孔硅是一种硅基纳米材料，具有独特的微观结构，其内部存在大量的微孔和纳米孔。这种特殊结构赋予了多孔硅许多优异的性能，例如较大的比表面积，这使得多孔硅在与外界物质相互作用时具有更高的活性；同时，其