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CoMnNiO非晶薄膜热敏电阻

中科院新疆物理研究所谭辉陶明德韩英

主题词：非晶薄膜薄膜热敏表现为带尾定忐导电；低I：300K，交流电导温

电阻电阻一温度特性结构度无关，费米能级附近定域态导电占优势。在一

工艺100～200C温区内，CoMnNiO非晶薄膜的电导

包含三种导电过程J。

一

、引言

根据CoMnNiO非晶薄膜的电阻温度特性

薄膜热敏电阻由于其反应和材料常数与温度关系的实验结果，可以得到

速度快，尺寸小，易于集成而有CoMnNiO非晶薄膜的材料常数：

谭蛭着特殊的用途。。我们用1

B=一音+C

Co、MnNi的金属氧化物按一定比例混合，在高‘

温下烧制成具有尖晶石结构的溅射靶，采用2o0电阻温度特性：

w射频溅射功率，衬底温度低于200℃，在含一定R=AT一e‘一盯．

氧的氲气中溅射制成的CoMnNiO薄膜具有良屯1阻率与薄膜厚度的关系为

好温度敏感特性。研究表明，这种薄膜的结构p=p0[1+eWla~]

与生成条件有关；衬底温度低于200C，生成式中——薄膜的厚度

的薄膜为非晶结构；衬底温度高于3oo℃，薄膜为0——特征厚度』

多晶结构。2。0～300℃温区生长的薄膜含有一定当知时，电阻率与薄膜厚度呈指数关系

比例的有序区(微晶)，呈现出两相结构，即“混轧时，电阻率趋于常数。

晶”。薄膜结构不同，其电学性质亦不同。实验还证明，CoMnNiO非晶薄膜的老化过

用CoMnNiO非晶薄膜制成的热敏电阻在程表现为薄膜的结构驰豫过程。老化特性可用下

一100～100℃温区，其电阻一温度特性呈现出一条式描述：

微微弯曲的光滑曲线，具有扩展态导电、带尾跳跃

导电和费米能级附近导电多渠道导电，呈现典型警：(1_e-tt／o)

的非晶态半导体特征。薄膜的电阻率可以通过溅式中——老化时间

射气氛和时间进行调整；非品薄膜具有明显的老to——老化时间常数，即阻值相对变化

化特性和退火特性。65％的时间

高温退火，薄膜产生晶化相变过程。随着薄膜结

二、理论探讨

构的改变，电阻率发生变化J。

CoMnNiO非晶薄膜与非晶硅和非晶碳化

三、元件设计

硅薄膜一样，其能带结构可用Davis—Mott模型

来描述”。直流电导与交流特性的实验研究表1．电阻值

明，温度高于500K，电导与频率无关，CoMnNiO薄膜的电阻不仅取决于材料本身的成分和结