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2025年超星尔雅学习通《微电子技术基础》章节测试题库及答案解析

单位所属部门：________姓名：________考场号：________考生号：________

一、选择题

1.微电子技术主要研究对象的尺度在哪个范围？（）

A.宏观尺度

B.微观尺度

C.纳米尺度

D.毫米尺度

答案：C

解析：微电子技术是研究微米至纳米尺度范围内电子器件和电路的制造和应用技术的总称，因此其研究对象主要在纳米尺度范围。

2.下列哪项不是半导体材料？（）

A.硅

B.锗

C.金

D.硫化镉

答案：C

解析：硅、锗和硫化镉都是常见的半导体材料，而金是良好的导电金属，不属于半导体材料。

3.P型半导体的多数载流子是？（）

A.电子

B.空穴

C.正离子

D.负离子

答案：B

解析：P型半导体通过掺入三价杂质，形成大量空穴，因此空穴是其多数载流子。

4.N型半导体的主要导电机构是？（）

A.空穴

B.电子

C.正离子

D.负离子

答案：B

解析：N型半导体通过掺入五价杂质，形成大量自由电子，因此电子是其多数载流子。

5.二极管最主要的特性是？（）

A.电流放大

B.电压控制

C.单向导电

D.频率选择

答案：C

解析：二极管最基本和最重要的特性是允许电流单向流动，即具有单向导电性。

6.三极管的主要功能是？（）

A.电压放大

B.电流放大

C.频率选择

D.功率转换

答案：B

解析：三极管的主要功能是放大信号，特别是电流放大作用是其核心应用。

7.集成电路按其功能可分为？（）

A.数字集成电路和模拟集成电路

B.大规模集成电路和超大规模集成电路

C.双极型集成电路和MOS集成电路

D.CMOS集成电路和BiCMOS集成电路

答案：A

解析：集成电路按其功能主要分为数字集成电路和模拟集成电路两大类。

8.MOSFET是一种什么类型的器件？（）

A.双极型晶体管

B.场效应晶体管

C.闸流管

D.发光二极管

答案：B

解析：MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种场效应晶体管，属于半导体器件。

9.VLSI的含义是？（）

A.超大规模集成电路

B.大规模集成电路

C.中规模集成电路

D.小规模集成电路

答案：A

解析：VLSI是超大规模集成电路的缩写，表示集成度非常高的集成电路。

10.修改硅片的晶向对器件性能有什么影响？（）

A.没有影响

B.影响器件的截止电压

C.影响器件的导电类型

D.影响器件的放大倍数

答案：B

解析：硅片的晶向会影响到器件的某些电学参数，特别是截止电压等，因此晶向选择对器件性能有重要影响。

11.MOSFET的输出特性曲线中，哪个区域表示器件处于饱和状态？（）

A.截止区

B.可变电阻区

C.饱和区

D.击穿区

答案：C

解析：在MOSFET的输出特性曲线中，当栅源电压大于阈值电压，且漏源电压大于栅源电压减去阈值电压时，器件工作在饱和区，此时漏极电流基本不随漏源电压变化而变化。

12.CMOS电路相比于其他逻辑门电路，其主要优点是？（）

A.速度最快

B.功耗最低

C.扇出系数最大

D.制造工艺最简单

答案：B

解析：CMOS（互补金属氧化物半导体）电路的主要优点是静态功耗非常低，因为其晶体管在静态时几乎不消耗电流。

13.半导体器件的制造工艺通常在什么环境下进行？（）

A.真空环境

B.氮气保护环境

C.氢气保护环境

D.空气环境

答案：B

解析：半导体器件的制造需要在无氧、无尘的高纯度环境中进行，通常使用氮气等惰性气体进行保护，以防止杂质污染。

14.集成电路的集成度是指？（）

A.单位面积内晶体管的数量

B.电路的复杂性

C.电路的可靠性

D.电路的功耗

答案：A

解析：集成电路的集成度是指单位面积或体积内所包含的晶体管或其他元件的数量，是衡量集成电路制造水平的重要指标。

15.硅的原子结构中，每个硅原子有多少个价电子？（）

A.2个

B.4个

C.6个

D.8个

答案：B

解析：硅位于元素周期表的第四主族，其原子最外层有4个电子，因此每个硅原子有4个价电子。

16.耗尽型MOSFET在零栅源电压时，其通道是？（）

A.导通的

B.截止的

C.半导通的

D.依赖温度

答案：B

解析：耗尽型MOSFET在制造时就已经在通道中积累了大量的耗尽层，即使在零栅源电压下，通道也被耗尽，处于截止状态。

17.VLSI电路设计中，通常采用什么方法来提高电路的集成度？（）

A.增加晶体管尺寸

B.采用更先进的制造工艺

C.减少电路复杂度

D.降低电路工作频率

答案：B

解析：提高集成电路集成度的关键在于采用更先进的制造工艺，能够在单位面积内制造出更多、更小