表面势基GaAs+pHEMT大信号模型研究.pdfVIP

摘要

随着5G时代的火热袭来，具有良好高频、低噪声以及低损耗特性的GaAs

基pHEMT器件，在5G基站中高频功率放大器方向发挥着明显的优势。通过半

导体器件建模技术，能够准确表征GaAspHEMT的电学特性，指导其工艺结构

优化以及提高产品的良率。对GaAspHEMT而言，目前行业内基本只有经验基

模型对其表征。相对而言，物理基模型从器件载流子运输机理出发，结合能级理

论、泊松方程等对器件特性进行表征，参数较少且高阶导数收敛性和模型的扩展

性较好。在5G通信对功率器件高线性度和高输出功率等的严格要求下，亟需一

套物理基大信号模型对GaAspHEMT进行建模。本文基于表面势ASM模型的内

核方程，开发针对GaAspHEMT的物理基电流和电荷模型，主要内容如下：

（1）简单介绍了GaAs材料的优势以及GaAspHEMT的结构组成、工作原

理和基本的电学特性。基于射频在片测试技术，研究了GaAspHEMT的小信号

和大信号测试系统和流程。

（2）详细推导了表面势ASM模型的核心表面势方程，更加深入地理解了表

面势模型的底层原理，为后文基于表面势理论为GaAspHEMT建立物理基的大

信号模型提供了强有力的理论支撑。

（3）基于ASM模型的内核表面势方程开发出GaAspHEMT的物理基大信

号模型。提出了大信号的拓扑结构和小信号模型参数提取方法，分析了表面势基

GaAspHEMT大信号模型的开发机制。结合国内某0.5um工艺线提供的器件实

测数据，详细阐述了大信号模型的参数提取流程。

（4）对表面势基GaAspHEMT大信号模型进行了小信号S参数和非线性功

率特性的验证，并建立了0.5um工艺下表面势基GaAspHEMT的尺寸可缩放模

型。结果表明，本文所提出的表面势基大信号模型在0.025-40.025GHz频段内具

有良好的精度、三阶以内的高阶收敛性以及灵活的可扩展性，并且满足器件最大

输出功率等非线性指标。

关键词：GaAspHEMT，功率器件，表面势，大信号模型，尺寸缩放

ABSTRACT

Withtheenthusiasmofthe5Gera,GaAs-basedpHEMTdeviceswithhigh-

frequency,low-noise,andlow-losscharacteristicshassignificantadvantageinhigh-

frequencypoweramplifiersusedin5Gbasestations.Contemperorysemiconductor

devicemodelingtechnologycancharacterizetheelectricalcharacteristicsofGaAs

pHEMTaccurately,guidingtheprocessstructureoptimizationandimprovetheyield

ofproducts.Inindesturypracticing,GaAspHEMTmodelinghighlyreliesonempirical-

basedmodels.Franklyspeaking,physical-basedmodelstartsfromdevicecarrier

transportmechanismcombiningwithenergyleveltheory,Poissonsequation,etc,

whichhasfewerparameters,higher-orderderivativeconvergenceandbetterscalability.

5Gcommunicationhasstrictrequirementsinhighlinearityandhighoutputpower,

whichurgelyneededasetofphysical-basedlarges