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半导体器件题库及答案

单项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的禁带宽度最宽的是？

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.碲化铅

2.N型半导体的多数载流子是？

A.电子

B.空穴

C.两者皆有

D.两者皆无

3.P型半导体的多数载流子是？

A.电子

B.空穴

C.两者皆有

D.两者皆无

4.二极管的正向压降约为？

A.0.1V

B.0.5V

C.0.7V

D.1.0V

5.双极结型晶体管的电流放大系数主要取决于？

A.基区宽度

B.发射区掺杂浓度

C.集电区掺杂浓度

D.两者皆无

6.MOSFET的栅极电压低于阈值电压时，器件处于？

A.导通状态

B.截止状态

C.饱和状态

D.可变状态

7.JFET的栅极与沟道之间是？

A.直接接触

B.间接绝缘

C.电容耦合

D.两者皆无

8.BJT的输出特性曲线中，饱和区对应的？

A.基极电流增大，集电极电流不变

B.基极电流增大，集电极电流增大

C.基极电流减小，集电极电流不变

D.基极电流减小，集电极电流增大

9.金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）属于？

A.电流控制器件

B.电压控制器件

C.功率器件

D.效率器件

10.半导体器件的热稳定性主要由？

A.掺杂浓度决定

B.结温决定

C.封装材料决定

D.两者皆无

答案：1.C2.A3.B4.C5.B6.B7.B8.A9.B10.B

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多项选择题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的特性包括？

A.导电性可调

B.热稳定性差

C.光电效应明显

D.禁带宽度固定

2.影响半导体导电性的因素有？

A.温度

B.掺杂

C.光照

D.压力

3.二极管的主要应用包括？

A.整流

B.稳压

C.开关

D.滤波

4.双极结型晶体管（BJT）的偏置方式有？

A.共射极偏置

B.共基极偏置

C.共集电极偏置

D.开路偏置

5.MOSFET的分类包括？

A.耗尽型

B.饱和型

C.金属型

D.电压型

6.JFET的缺点包括？

A.输入阻抗低

B.噪声大

C.功率小

D.结温高

7.半导体器件的参数包括？

A.电流放大系数

B.阈值电压

C.压降

D.功率

8.BJT的失效模式包括？

A.烧毁

B.击穿

C.饱和

D.开路

9.MOSFET的优势包括？

A.输入阻抗高

B.功率密度大

C.开关速度快

D.噪声低

10.半导体器件的发展趋势包括？

A.高集成度

B.低功耗

C.高频率

D.大功率

答案：1.A.C2.A.B.C3.A.B.C.D4.A.B.C5.A.C6.A.B.C7.A.B.C.D8.A.B.D9.A.C.D10.A.B.C.D

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判断题（每题2分，共20分）

1.半导体材料的禁带宽度越大，导电性越好。

（×）

2.P型半导体的空穴是多数载流子。

（√）

3.二极管的反向电流为零。

（×）

4.BJT的电流放大系数与温度无关。

（×）

5.MOSFET的栅极是绝缘的。

（√）

6.JFET的栅极电压可以极性反转。

（×）

7.BJT的发射极电流等于集电极电流与基极电流之和。

（√）

8.MOSFET的阈值电压随温度升高而降低。

（√）

9.半导体器件的功耗与工作频率成正比。

（×）

10.所有半导体器件都需要散热。

（×）

答案：1.×2.√3.×4.×5.√6.×7.√8.√9.×10.×

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简答题（每题5分，共20分）

1.简述半导体的P型和N型结构特点。

答：P型半导体通过掺杂三价元素（如硼）形成空穴为多数载流子；N型半导体通过掺杂五价元素（如磷）形成电子为多数载流子。

2.二极管正向偏置和反向偏置时的工作状态。

答：正向偏置时，二极管导通，压降约0.7V；反向偏置时，二极管截止，反向电流极小。

3.BJT的三个工作区（截止、饱和、放大）的特点。

答：截止区基极电流为零，集电极电流为零；饱和区基极电流增大，集电极电流最大；放大区基极电流较小，集电极电流与基极电流成比例。

4.MOSFET的耗尽型和增强型区别。

答：耗尽型MOSFET在零栅极电压时导通；增强型MOSFET在零栅极电压时截止，需高于阈值电压才导通。

答案：

1.P型半导体掺杂三价元素形成空穴，N型半导体掺杂五价元素形成电子，均为多数载流子。

2.正向偏置导通，反向偏置截止。

3.截止区无电流，饱和区电流最大，放大区电流成比例。

4.耗尽型零栅压导通，增强型零栅压截止。

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讨论题（每题5分，共20分）

1.半导体器件在电子电路中的重要性是什么？

答：半导体器件是现代电子电路的核心，实现信号放大、开关、滤波等功能，推动计算机、通信等科技发展。

2.N型半导体掺杂浓度增加对导电性的影响。

答：掺杂浓度增加，电子数量增多，导电性增强，但过浓可能导致载流子复合增加，影响性能。

3.BJT和MOSFET在开关电路中的应用差异。

答：BJT适用于大