介质衬底上六方氮化硼二维原子晶体的直接生长与光电探测器性能研究.docx

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介质衬底上六方氮化硼二维原子晶体的直接生长与光电探测器性能研究

一、引言

1.1研究背景与意义

自2004年石墨烯被成功剥离以来,二维材料因其独特的原子结构和优异的物理性质,在全球范围内引发了广泛而深入的研究热潮。二维材料,作为电子仅可在两个维度的纳米尺度(1-100nm)上自由运动的平面材料,其厚度仅为单个或几个原子层,却展现出与传统三维材料截然不同的特性,如高载流子迁移率、出色的光学性能以及良好的机械柔韧性等,这些特性使其在半导体、电子器件、复合材料等众多领域展现出巨大的应用潜力。

在丰富多样的二维材料家族中,六方氮化硼(h-BN)以其独特的结构和优异的性能脱颖而出,成为备

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