高压LDMOS的结构研究.pdfVIP

摘要

随着电子器件的发展，高压大功率MOS器件被广泛应用于相关电路设计中。而众多器

件中，以高压横向双扩散金属氧化物半导体管(LateralDouble-diffusedMetal-Oxide-

Semiconductor，LDMOS)结构研究为主要热点之一。主要因为其具有降低开关损耗、提高开

关速度且易于集成等特点。作为耐压型器件，高压LDMOS器件的核心目标是提升击穿电压

和降低导通电阻。为了实现上述目标，目前业界主要围绕器件结构、材料以及工艺等方面开

展研究。此外，器件的物理模型、电路模型等工作也为集成电路设计提供有力支持。因此，

本文以高压LDMOS的结构研究为题进行研究在学术与应用中都有重要的价值与意义。

本文先阐述了高压LDMOS的研究背景和意义，然后介绍了基本结构、工作过程及国内

外现状。并分析说明了绝缘衬底硅、沟槽、场板、超级结等耐压技术应用于高压LDMOS中

的结构特点、材料性质以及工作机理。

其次，提出了具有凸型扩展埋氧区沟槽绝缘衬底硅(Silicon-on-Insulator,SOI)LDMOS结构，

该结构的特点是在埋氧层上方有一个凸型扩展区。该区域的引入使埋氧层能够承担更多的电

场强度，因此优化击穿电压。而且由于凸型扩展埋氧区的引入缩短了器件的电子流通路径，

并且辅助耗尽漂移区，因此导通电阻明显优化。和传统沟槽SOI结构相比，品质因数(Figure-

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Of-Merit，FOM，=BV/Ron)值提升了64.6%。接下来又提出了带有P柱的凸型扩展埋氧区结

构，P柱使击穿电压提升23.6%，导通电阻优化了61.1%，因此器件性能极其明显优化了。

之后，提出了带有垂直场板结构的凸型扩展埋氧区沟槽SOILDMOS结构，研究结果显示性

能并没有得到很明显的提升，说明其和凸形埋氧层结合使用并不能起到良好的作用。

然后，提出了半椭圆氧化沟槽SOILDMOS结构，该结构的特点是在硅膜层顶部栅极和

漏极之间有一个半椭圆状的氧化沟槽，半椭圆氧化沟槽使器件的横向表面电场上产生了一个

巨大的电场峰值，提升表面电场强度。与此同时，拉低源电极和漏电极的电场峰值。由于半

椭圆氧化沟槽的存在，埋氧层表面的空穴浓度也提升了，因此纵向上埋氧层的电场强度得到

提升。从而整体优化了器件的击穿电压，从传统氧化沟槽的432V提升到526V，击穿电压提

升了约22%，衡量器件性能的品质因数提升了16.8%。

最后，本文对上述工作进行了总结与展望。指出研究生阶段工作的不足，并且对未来的

研究可能扩展的方向也做了一些计划和探索。

关键词：LDMOS、沟槽、击穿电压、导通电阻、品质因数

ABSTRACT

Withthedevelopmentofelectronicsdevices,highvoltagepowerMOSdevicesarewidelyused

incircuitdesign.Amongmanydevices,theresearchonhighvoltageLateralDouble-diffusedMetal-

Oxide-Semiconductor(LDMOS)isoneofthemainfocuses.Itcanreduceswitchingloss,improve

switchingspeedandbeeasilyintegrated.Asahighvoltagedevice,thegoalofhighvoltageLDMOS

deviceistoimprovetheBVandreducetheRon.Thus,scholarsmainlydotheresearchofLDMOSon

thestructure,materialandfabricationprocessofthedevice.Inaddition,physicalmodelsandcircuit

modelsofthedevicealsoprovidestrongsupportforICdesi