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2025年大学模电期末考试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.某NPN晶体管放大电路中，若基极电流IB=20μA，电流放大系数β=100，则集电极电流IC约为

A.0.2mA??B.2mA??C.20mA??D.200mA

答案：B

解析：IC=β·IB=100×20μA=2mA。

2.理想运算放大器开环增益为∞，输入阻抗为∞，输出阻抗为0，若其工作于线性区，则“虚短”概念成立的条件是

A.负反馈存在??B.正反馈存在??C.无反馈??D.电源电压足够大

答案：A

解析：负反馈使两输入端电压差趋于零，形成“虚短”。

3.在硅稳压二极管并联稳压电路中，限流电阻Rs的主要作用是

A.提高输出电压??B.降低温度系数??C.保证稳压管工作在击穿区且不过流??D.滤除纹波

答案：C

解析：Rs与负载分压，使稳压管电流维持在安全区间。

4.某放大电路的中频电压增益为40dB，其对应的电压放大倍数为

A.10??B.100??C.1000??D.10000

答案：B

解析：40dB=20lg|Av|?|Av|=100。

5.对于理想差分放大器，共模抑制比KCMR→∞，说明

A.对差模信号放大倍数为零??B.对共模信号放大倍数为零??C.输入阻抗为零??D.输出阻抗为无穷大

答案：B

解析：KCMR=|Ad/Ac|，KCMR→∞则Ac→0。

6.某RC低通网络，截止频率fc=1kHz，若将电容值增大到原来的4倍，则新截止频率为

A.250Hz??B.500Hz??C.2kHz??D.4kHz

答案：A

解析：fc=1/(2πRC)，C↑4倍?fc↓至1/4。

7.在功率放大器中，甲类放大效率低于乙类的主要原因是

A.静态电流为零??B.静态电流大，管耗高??C.电源电压低??D.负载阻抗小

答案：B

解析：甲类静态工作点设在负载线中点，无信号时仍有大电流，管耗大。

8.某负反馈放大器开环增益A=1000，反馈系数F=0.01，则闭环增益Af约为

A.10??B.50??C.90.9??D.100

答案：C

解析：Af=A/(1+AF)=1000/(1+10)=90.9。

9.理想积分运算电路中，输入为方波，则输出波形为

A.正弦波??B.三角波??C.尖脉冲??D.矩形波

答案：B

解析：方波积分得线性充放电，形成三角波。

10.某MOSFET用作开关，若VGS(th)=2V，欲使其充分导通，则VGS应

A.1V??B.=2V??C.2V且足够高??D.任意值

答案：C

解析：必须大于阈值电压并留有余量，以进入欧姆区。

二、多项选择题（每题3分，共15分，多选少选均不得分）

11.下列措施中，能够提高共射放大电路上限截止频率fH的有

A.减小集电结电容Cbc??B.减小负载电阻Rc??C.采用高频低噪声晶体管??D.引入负反馈??E.增大耦合电容C1

答案：A、C、D

解析：Cbc↓、管子高频特性↑、负反馈均可扩展带宽；Rc↓对fH影响复杂，但非主要；C1影响下限频率。

12.关于镜像电流源，正确的有

A.输出电流与参考电流成比例??B.对电源电压变化不敏感??C.可做多路偏置??D.温度稳定性优于电阻偏置??E.仅适用于MOS工艺

答案：A、C、D

解析：镜像电流源基于比例晶体管，可扩展多路；温漂由VBE匹配决定，优于单电阻；双极与CMOS均可实现；电源抑制比有限，B错。

13.在理想二极管整流电路中，若负载为纯电阻，下列说法正确的有

A.输出平均电压与输入幅值成正比??B.二极管导通角为180°（半波）??C.输出纹波频率等于输入频率（半波）??D.桥式整流纹波频率为2倍输入??E.二极管承受最大反向电压为输入峰值（半波）

答案：A、B、C、D、E

解析：均为基本结论。

14.某运放构成同相比例放大器，若要使电压增益等于+1，则可采用

A.短接输出到反相输入??B.反相输入接地，信号接同相端??C.反馈电阻为零??D.反馈电阻等于输入电阻??E.不接任何反馈

答案：A、B、C

解析：电压跟随器即增益+1，可短接输出与反相端；反馈电阻为零即直接短接；D给出增益+2；E开环非线性。

15.关于Class-D音频功率放大器，正确的有

A.功率器件工作于开关状态??B.理论效率可达100%??C.需LC低通滤波器恢复音频??D.电磁干扰较大??E.无需散热片

答案：A、B、C、D

解析：开关型