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2025年大学《光电信息材料与器件-光电材料制备技术》考试备考题库及答案解析

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一、选择题

1.光电材料制备过程中，以下哪种方法属于物理气相沉积技术？（）

A.溅射沉积

B.化学气相沉积

C.喷涂沉积

D.溶胶-凝胶法

答案：A

解析：溅射沉积是通过高能粒子轰击靶材，使靶材原子或分子溅射出来沉积到基板上，属于物理气相沉积技术。化学气相沉积是通过化学反应生成气体物质并沉积，喷漆涂膜和溶胶-凝胶法属于湿化学沉积方法。

2.在光电材料薄膜制备中，下列哪种情况会导致薄膜的针孔缺陷？（）

A.基板温度过高

B.沉积速率过快

C.沉积气体纯度不足

D.基板清洁度不够

答案：C

解析：沉积气体纯度不足会导致化学反应不完全或产生杂质，这些杂质在薄膜中形成针孔。基板温度过高会导致应力增大，沉积速率过快会导致结晶不完整，基板清洁度不够会导致颗粒附着，均不会直接形成针孔。

3.光电材料的晶体缺陷中，填隙原子会主要影响材料的哪种物理性质？（）

A.电阻率

B.折射率

C.热导率

D.磁性

答案：A

解析：填隙原子会破坏材料的晶格周期性，增加晶格势垒，导致电子迁移受阻，从而显著增加材料的电阻率。对折射率影响较小，对热导率和磁性的影响相对间接。

4.以下哪种设备常用于光电材料薄膜的厚度测量？（）

A.光谱仪

B.拉曼光谱仪

C.薄膜厚度计

D.X射线衍射仪

答案：C

解析：薄膜厚度计是专门用于测量薄膜厚度的高精度仪器。光谱仪测量光学吸收或透射特性，拉曼光谱仪测量分子振动，X射线衍射仪测量晶体结构和晶粒尺寸。

5.光电材料制备中，等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的主要优势是什么？（）

A.沉积速率快

B.设备成本低

C.薄膜均匀性好

D.能制备超硬薄膜

答案：C

解析：PECVD通过引入等离子体提高化学反应活性，能够在较低温度下沉积，且由于等离子体均匀性，沉积的薄膜均匀性好。沉积速率受工艺参数影响，设备成本相对较高，超硬薄膜通常需要其他技术如离子注入。

6.制备高质量的半导体光电材料时，以下哪个环节对材料纯度影响最大？（）

A.原料提纯

B.热处理

C.薄膜沉积

D.缓冲层生长

答案：A

解析：原料提纯是决定最终材料纯度的关键步骤。即使后续工艺再完美，如果原料含有杂质，这些杂质也会残留并影响材料性能。热处理和沉积过程主要是改变材料结构和形态，缓冲层生长是为了改善界面匹配，均不是纯度控制的主要环节。

7.光电材料的退火工艺主要目的是什么？（）

A.提高沉积速率

B.增加晶体缺陷

C.改善结晶质量

D.降低材料电阻率

答案：C

解析：退火通过控制温度和时间，促进晶粒长大，减少晶体缺陷，提高材料的结晶质量。沉积速率由沉积设备控制，退火不会增加缺陷，主要作用是改善结晶，对电阻率的影响取决于材料类型和退火气氛。

8.以下哪种方法不适合用于制备超晶格光电材料？（）

A.分子束外延

B.蒸发沉积

C.溅射沉积

D.MOCVD

答案：B

解析：超晶格材料需要精确控制不同周期层的厚度和组成，分子束外延（MBE）、金属有机化学气相沉积（MOCVD）和原子层沉积（ALD）都能实现原子级精度的层状生长。蒸发沉积难以精确控制层厚和界面，不适合制备超晶格。

9.光电材料薄膜的表面形貌通常用哪种仪器表征？（）

A.拉曼光谱仪

B.原子力显微镜

C.X射线衍射仪

D.能谱仪

答案：B

解析：原子力显微镜（AFM）是表征材料表面形貌的高分辨率仪器，可以获取纳米级形貌信息。拉曼光谱仪测量分子振动，X射线衍射仪测量晶体结构，能谱仪测量元素分布。

10.在光电材料制备过程中，以下哪种情况会导致薄膜与基板之间形成不良界面？（）

A.基板温度控制不当

B.沉积前基板清洗不彻底

C.缓冲层厚度不足

D.以上都是

答案：D

解析：基板温度控制不当会导致界面应力增大，沉积前基板清洗不彻底会有污染物残留，缓冲层厚度不足无法有效匹配晶格失配，这三种情况都会导致薄膜与基板之间形成不良界面。

11.光电材料的等离子体增强化学气相沉积（PECVD）工艺中，引入等离子体的主要目的是什么？（）

A.提高沉积速率

B.增加薄膜与基板的附着力

C.降低沉积温度

D.减少设备成本

答案：C

解析：PECVD通过引入等离子体轰击反应气体，使其电离或激发，提高反应气体的化学反应活性和能量，从而在较低的温度下就能实现化学反应并沉积薄膜。这不仅可以降低能耗，还能沉积一些在高温下不稳定的材料。虽然PECVD有时也能改善附着力，但这并非引入等离子体的最主要目的，提高沉积速率和降低成本也是其优点，但核心在于激发反应物以提高反应