脱溶沉淀及时效讲课文档.pptVIP

脱溶沉淀及时效;（优选）脱溶沉淀及时效;脱溶或沉淀：从过饱和固溶体中析出沉淀相或形成溶质原子聚集区以及亚稳定过渡相的过程。

是一种扩散型相变。弥散新相的沉淀将使合金的硬度升高，称为沉淀硬化。

时效处理：合金经固溶处理后在室温或高于室温的适当温度保温，以达到沉淀硬化目的的热处理工艺，称为时效。分为自然时效和人工时效。;具有脱溶沉淀转变的条件：合金在平衡相图上有固溶度的变化，且固溶度随温度降低而减少。;第二节脱溶沉淀热力学及

脱溶沉淀过程;实际的过饱和固溶体脱溶，并不直接析出平衡相，而使先形成溶质原子偏聚区(G.P.区)、过渡相、最后形成平衡脱溶沉淀相。

过饱和固溶体?偏聚区(G.P.区)?过渡相（亚稳相）?平衡脱溶沉淀相。;2、脱溶沉淀过程;2）???的形成

G.P.区沿直径和厚度方向长大

形成???相。正方点阵，与母相保

持共格。;4）?的形成

一般认为，?由??长大而成。?相也具有正方点阵，与母相非共格。平衡相形成后合金硬度下降。

其他时效硬化合金与Al-Cu合金类似，出现中间过渡相，但不一定有四个阶段。;Al2CuMg;第三节脱溶沉淀后的显微组织;局部脱溶：普遍脱溶前，较早地从晶界、亚晶界、滑移面、位错线、夹杂物界面及其它晶体缺陷处优先形核，使该处较早地出现脱溶相质点的脱溶。是一种不均匀形核。;无沉淀带：某些铝基、钛基、铁基、镍基等时效型合金在晶界处的局部脱溶往往在紧靠晶界附近形成一条无沉淀带。;目前有两种机制解释无沉淀带的产生：贫溶质机制和贫空位机制。

1）贫溶质机制：晶界处脱溶较快，较早地析出脱溶相，因而吸收了附近的溶质原子，使周围基体溶质原子贫乏而无法析出脱溶相，造成无沉淀带。

2）贫空位机制：无析出带的成因，是因为该区域内的空位密度低，使溶质原子的扩散变得困难，因此使G.P.区及亚稳中间相等均难以析出。空位密度低是因为固溶处理冷却时靠近晶界的空位扩散到晶界而消失。;2、不连续脱溶的显微组织;不连续脱溶的显微组织特征是脱溶相沿晶界不均匀形核，脱溶相与周围基体两相耦合成长，逐步向晶??扩展，在晶界附近形成界限明显的脱溶组织区域，称为胞状或瘤状物。胞状物一般由两相组成，一为平衡脱溶相；另一相为基体，系贫化的固溶体。

不连续脱溶时，脱溶胞与基体间是非共格的大角度晶界；脱溶胞内的?和?片都与原始?基体形成非共格界面。;不连续脱溶机制：

过饱和固溶体?中，溶质原子首先在晶界处偏聚，接着以质点形式脱溶析出?相，并将部分晶界固定，随后?相呈片状

长入与其无位向关系的母

相?基体中。片状?的两侧

出现溶质原子贫化区（?1）

相，而在?1相外侧，沿母

相晶界又可形成新的?相。;不连续脱溶和连续脱溶相比，除界面浓度变化之外，还存在三点区别：

1）不连续脱溶伴生再结晶，而连续脱溶则没有。

2）不连续脱溶的脱溶物集中在晶界上，至少析出的初期如此，并形成胞状物。而连续脱溶析出相则分散于晶粒内部，且分布较均匀。

3）不连续脱溶属于短程扩散，而连续脱溶则属于长程扩散。;3、脱溶过程中显微组织变化序列;第四节脱溶沉淀过程动力学;2、等温脱溶沉淀动力学图的影响因素;3）温度的影响

温度高，原子活动能力大，则脱溶沉淀速度快；但温度高时，过饱和度及自由能差减小，又会导致脱溶沉淀速度减慢。;第五节脱溶沉淀时性能的变化;时效时硬度发生变化的原因：

1）固溶体的贫化；

2）基体的回复与再结晶；

3）脱溶沉淀相的析出。;2、时效硬化机制;2）切过颗粒强化

当析出相位于位错的滑移面上，且析出相比较软时，位错线就可切过析出相而通过。

?切?f1/2?1/6r1/2

f:脱溶相颗粒的体积分数；r:脱溶相半径。;3）绕过析出相强化（奥罗万机制）

当析出相位于位错的滑移面上，且析出相很硬时，位错线无法切过析出相。;?绕=2Gb/L

G:切变模量；b:柏氏矢量；L:相邻析出相颗粒间距。

绕过机制使得合金强化的增量大致为：

?绕??f?r?1

1）相邻析出相颗粒间距越小，则强化效应越大；

2）当颗粒体积分数一定时，脱溶相颗粒半径越小，则强化效应越显著，并按r?1变化；

3）当脱溶相半径一定时，其体积分数越大，则强化效应越高，并按f?变化。;3、回归现象;第六节调幅分解;1、调幅分解的热力学条件;产生调幅分解的合金必须具有均匀固溶体分解为两相固溶体的状态图，且这两相固溶体具有相同的晶体结构，成分?自由能曲线是连续的。

除此之外，发生调幅分解