2025年大学《微电子科学与工程-模拟集成电路设计》考试模拟试题及答案解析.docxVIP

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2025年大学《微电子科学与工程-模拟集成电路设计》考试模拟试题及答案解析

单位所属部门:________姓名:________考场号:________考生号:________

一、选择题

1.模拟集成电路设计中,最常用的晶体管是()

A.MOSFET

B.BJT

C.JFET

D.MESFET

答案:A

解析:MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)因其高输入阻抗、低功耗、易于集成等优点,成为模拟集成电路设计中应用最广泛的晶体管类型。BJT(双极结型晶体管)在高速电路和某些特定应用中也有使用,但MOSFET在集成度上更具优势。JFET和MESFET应用较少,通常用于特定场合。

2.在模拟电路中,常用的反馈类型不包括()

A.电压串联反馈

B.电流并联反馈

C.电压并联反馈

D.电流串联反馈

答案:C

解析:模拟电路中常用的反馈类型包括电压串联反馈、电流并联反馈和电流串联反馈。电压并联反馈并不是标准反馈类型,可能是选项错误或笔误。

3.设计低噪声放大器时,为了减小噪声系数,通常采取的措施是()

A.提高晶体管的增益

B.增加放大器的级数

C.选择低噪声晶体管

D.提高电源电压

答案:C

解析:在设计低噪声放大器时,选择低噪声晶体管是减小噪声系数最直接有效的方法。提高晶体管的增益和增加放大器的级数可能会引入更多的噪声,而提高电源电压对噪声系数的改善有限。

4.模拟集成电路设计中,通常使用哪种方法来提高电路的电源抑制比()

A.增加反馈深度

B.使用差分结构

C.提高晶体管的跨导

D.增加电路的带宽

答案:B

解析:提高电源抑制比(PSRR)最有效的方法是使用差分结构。差分结构对电源噪声具有天然的抑制作用,能够显著提高电路的电源抑制比。增加反馈深度、提高晶体管的跨导和增加电路的带宽对PSRR的改善有限。

5.在CMOS电路设计中,为了减小功耗,通常采取的措施是()

A.提高工作频率

B.增加晶体管的尺寸

C.降低工作电压

D.增加电路的级数

答案:C

解析:在CMOS电路设计中,降低工作电压是减小功耗最有效的方法。功耗与工作电压的平方成正比,因此降低工作电压能够显著降低功耗。提高工作频率、增加晶体管的尺寸和增加电路的级数都会增加功耗。

6.模拟集成电路设计中,通常使用哪种方法来提高电路的线性度()

A.增加反馈深度

B.使用差分结构

C.提高晶体管的跨导

D.增加电路的带宽

答案:A

解析:提高电路的线性度最有效的方法是增加反馈深度。深度反馈能够显著提高电路的线性度,减少非线性失真。使用差分结构、提高晶体管的跨导和增加电路的带宽对线性度的改善有限。

7.在模拟电路中,常用的有源负载是()

A.电阻

B.MOSFET

C.BJT

D.运算放大器

答案:B

解析:在模拟电路中,常用的有源负载是MOSFET。有源负载能够提供更高的输出阻抗,提高电路的增益和性能。电阻、BJT和运算放大器虽然也可以用作负载,但MOSFET更有优势。

8.设计运算放大器时,为了提高开环增益,通常采取的措施是()

A.增加晶体管的尺寸

B.提高工作电压

C.增加放大器的级数

D.使用差分结构

答案:C

解析:提高开环增益最有效的方法是增加放大器的级数。多级放大器能够将各级的增益相乘,显著提高开环增益。增加晶体管的尺寸、提高工作电压和使用差分结构对开环增益的改善有限。

9.在模拟电路中,常用的偏置电路是()

A.分压偏置电路

B.电流源偏置电路

C.电压源偏置电路

D.以上都是

答案:D

解析:在模拟电路中,常用的偏置电路包括分压偏置电路、电流源偏置电路和电压源偏置电路。这些偏置电路能够为晶体管提供稳定的偏置点,保证电路的正常工作。

10.设计滤波器时,为了提高滤波器的选择性,通常采取的措施是()

A.增加滤波器的级数

B.提高滤波器的截止频率

C.增加滤波器的带宽

D.使用有源滤波器

答案:A

解析:提高滤波器的选择性最有效的方法是增加滤波器的级数。多级滤波器能够提供更高的选择性,减少带外信号的干扰。提高滤波器的截止频率、增加滤波器的带宽和使用有源滤波器对选择性的改善有限。

11.在模拟集成电路设计中,为了提高电路的输入阻抗,通常采用()

A.串联电阻

B.并联电阻

C.电流源

D.电压源

答案:C

解析:电流源具有极高的输出阻抗,当作为负载或驱动源时,可以等效为具有高内阻的电压源,从而显著提高电路的输入阻抗。串联电阻和并联电阻会降低输入阻抗。电压源本身不直接决定输入阻抗。

12.设计差分放大器时,为了提高共模抑制比(CMRR),通常采取的措施是()

A.增大差模输入电阻

B.减小共模输入电阻

C.增大晶体管尺寸

D.提高电源电压

答案:

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