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模拟电子技术基础知识点全面总结

引言

模拟电子技术，作为电子信息类专业的基石，其重要性不言而喻。它主要研究对连续变化的模拟信号进行产生、放大、处理、变换、传输和测量的电路与系统。从早期的电子管收音机到如今精密的通信设备、医疗仪器、自动化控制系统，模拟电子技术都扮演着不可或缺的角色。掌握模拟电子技术的基本概念、基本原理和基本分析方法，不仅是深入学习后续专业课程的前提，更是培养工程实践能力和创新思维的关键。本文旨在对模拟电子技术的核心知识点进行一次系统性的梳理与总结，希望能为学习者提供一份清晰且实用的参考。

一、半导体器件基础

半导体器件是构成各种模拟电路的基本单元，理解其工作原理和特性是学好模拟电子技术的第一步。

1.1二极管

*基本结构与工作原理：由PN结构成，具有单向导电性。P区为正电荷（空穴）多子区，N区为负电荷（电子）多子区。PN结正向偏置时（P区接高电位，N区接低电位），内电场被削弱，多子扩散形成正向电流；反向偏置时（P区接低电位，N区接高电位），内电场增强，少子漂移形成极小的反向饱和电流。

*伏安特性曲线：描述二极管两端电压与流过电流关系的曲线。分为正向特性（死区、导通区）和反向特性（截止区、击穿区）。

*主要参数：最大整流电流、反向击穿电压、反向饱和电流、正向压降、动态电阻等。

*典型应用：整流（将交流电转为脉动直流电）、限幅（限制信号幅度）、钳位（将信号电平固定在某一数值）、开关、稳压（稳压二极管）、发光（发光二极管LED）、光电转换（光电二极管）等。

1.2双极型晶体管（BJT）

*基本结构与类型：有NPN和PNP两种类型，三个电极分别为发射极（E）、基极（B）、集电极（C）。内部包含两个PN结：发射结（BE结）和集电结（BC结）。

*工作原理：通过基极电流控制集电极电流，实现电流放大作用。放大的内部条件是发射区掺杂浓度高，基区薄且掺杂浓度低，集电结面积大。外部条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。

*特性曲线：

*输入特性曲线：基极电流IB与基射电压UBE之间的关系（UBE为自变量）。

*输出特性曲线：集电极电流IC与集射电压UCE之间的关系（以IB为参变量），可分为截止区、放大区和饱和区。

*主要参数：电流放大系数（共射极β、共基极α）、极间反向电流（ICBO、ICEO）、极限参数（ICM、U(BR)CEO、PCM）、频率参数等。

*三种基本组态：共发射极、共集电极（射极跟随器）、共基极电路。各组态在输入电阻、输出电阻、电压增益、电流增益、频带宽度等方面各具特点。

1.3场效应管（FET）

*基本结构与类型：利用电场效应控制半导体中多数载流子运动，是电压控制型器件。主要分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）。MOSFET又分为N沟道和P沟道，以及增强型和耗尽型。

*工作原理：通过栅源电压UGS改变导电沟道的宽窄或导通与否，从而控制漏极电流ID。

*特性曲线：

*转移特性曲线：漏极电流ID与栅源电压UGS之间的关系（UDS为参变量）。

*输出特性曲线：漏极电流ID与漏源电压UDS之间的关系（以UGS为参变量），可分为截止区、恒流区（饱和区）、可变电阻区。

*主要参数：夹断电压UP（或开启电压UT）、饱和漏极电流IDSS（耗尽型）、跨导gm、输入电阻RGS、极限参数等。

*特点：输入电阻极高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单易于集成，在大规模和超大规模集成电路中应用广泛。

二、基本放大电路

放大电路是模拟电子技术的核心内容，其功能是将微弱的电信号不失真地放大到所需的幅度。

2.1放大电路的性能指标

*放大倍数（增益）：输出信号变化量与输入信号变化量之比，有电压放大倍数、电流放大倍数、功率放大倍数之分。

*输入电阻Ri：从放大电路输入端看进去的等效电阻，Ri越大，放大电路从信号源索取的电流越小，对信号源的影响越小。

*输出电阻Ro：从放大电路输出端看进去的等效电阻，Ro越小，放大电路带负载能力越强。

*频率响应：放大倍数随信号频率变化的特性，包括幅频特性和相频特性。常用通频带BW来描述。

*非线性失真：由于器件特性的非线性导致输出信号波形与输入信号波形产生差异的现象，有截止失真、饱和失真等。

*最大输出功率Pom和效率η：在输出波形基本不失真的情况下，放大电路向负载提供的最大交流功率，以及输出的交流功率与直流电源提供的功率之比。

2.2基本组态放大电路

*共发射极放大电路：以BJT为例，发射极作为公共端。具有电压放大作用和电流放大作用，输入电阻适中，输出电阻较高，频带较窄。是最常用的放大电路组态之一。

*共集电极放大电路（射极