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晶体硅光伏组件知识考试试题及答案2025年

一、单项选择题（每题1分，共30分。每题只有一个正确答案，请将正确选项字母填入括号内）

1.晶体硅光伏组件在标准测试条件下的光谱辐照度为（）。

A.800W/m2B.1000W/m2C.1200W/m2D.900W/m2

答案：B

2.下列哪项不是晶体硅电池表面制绒的主要目的（）。

A.降低反射率B.提高短路电流C.增加开路电压D.增强陷光效应

答案：C

3.PERC电池中“钝化发射极背面接触”技术主要解决的是（）。

A.前表面复合B.背表面复合C.串联电阻D.并联电阻

答案：B

4.组件封装材料EVA交联度测试常用的溶剂是（）。

A.甲苯B.二甲苯C.四氢呋喃D.二氯甲烷

答案：B

5.在IEC61215-1:2021热斑耐久试验中，遮挡电池片比例通常为（）。

A.5%B.10%C.15%D.20%

答案：B

6.晶体硅组件在户外运行中，PID现象首先表现为（）。

A.Isc下降B.Voc下降C.Pmpp下降D.Rs上升

答案：C

7.下列哪种缺陷最容易在EL图像中呈现为“黑芯”（）。

A.断栅B.隐裂C.电阻漂移D.烧结不良

答案：D

8.双面组件背面增益测试时，地面反射率通常采用（）。

A.5%B.10%C.15%D.20%

答案：B

9.半片组件相较于整片组件，串联电阻损耗理论上可降低（）。

A.25%B.50%C.75%D.不变

答案：A

10.在组件功率测试不确定度评定中，太阳模拟器光谱失配误差属于（）。

A.A类不确定度B.B类不确定度C.合成不确定度D.扩展不确定度

答案：B

11.下列哪项不是M10（182mm）硅片相较于M2（156.75mm）硅片的优势（）。

A.降低单瓦封装成本B.提高组件功率C.降低碎片率D.降低单瓦运输成本

答案：C

12.光伏组件背板外层常用PVDF材料，其熔点约为（）。

A.120℃B.155℃C.178℃D.205℃

答案：C

13.在双玻组件层压工艺中，通常采用“上缓下急”的抽真空曲线，其主要目的是（）。

A.防止电池片漂移B.降低层压时间C.提高EVA交联度D.减少气泡

答案：A

14.下列哪项不是导致组件CTM（CellToModule）损失的因素（）。

A.光学损失B.电阻损失C.热损失D.机械损失

答案：D

15.晶体硅组件在盐雾试验后，最大功率衰减应不超过（）。

A.3%B.5%C.8%D.10%

答案：B

16.在组件铭牌上，系统最大允许熔丝电流一般标记为（）。

A.Isc×1.25B.Isc×1.35C.Isc×1.56D.Isc×2.0

答案：C

17.下列哪种测试可以最直接评估组件抗微裂纹能力（）。

A.静态机械载荷B.动态机械载荷C.热循环D.湿冻

答案：B

18.当组件工作温度每升高1℃，其功率温度系数典型值为（）。

A.-0.1%/℃B.-0.25%/℃C.-0.4%/℃D.-0.6%/℃

答案：C

19.在组件制造过程中，电池片分档主要依据（）。

A.效率B.功率C.电流D.电压

答案：C

20.下列哪项不是导致组件出现蜗牛纹的直接原因（）。

A.电池片隐裂B.水汽侵入C.EVA水解D.助焊剂残留

答案：D

21.在IEC61730-1:2023中，组件防火等级测试引用的标准体系是（）。

A.IEC60529B.UL61730C.IEC62938D.ASTME108

答案：D

22.采用11BB技术时，主栅宽度典型值为（）。

A.0.8mmB.0.5mmC.0.3mmD.0.1mm

答案：C

23.下列哪项不是TOPCon电池的核心工艺（）。

A.隧穿氧化B.多晶硅沉积C.硼扩散D.激光开槽

答案：D

24.在组件运输模拟振动测试中，频率循