体硅FinFET先导工艺的深度剖析与电学性质研究.docxVIP

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2025-11-21 发布于上海
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体硅FinFET先导工艺的深度剖析与电学性质研究

一、引言

1.1研究背景与意义

在当今数字化时代，半导体技术作为现代信息技术的基石，其发展水平直接影响着一个国家的科技竞争力和经济发展。随着电子设备对高性能、低功耗和小型化的需求不断增长，半导体技术正朝着更小的制程工艺、更高的集成度以及更优异的电学性能方向迅猛发展。在过去的几十年里，集成电路技术遵循着摩尔定律不断演进，芯片上的晶体管数量每18-24个月便会翻一番，这使得电子设备的性能得到了极大提升。然而，随着晶体管尺寸不断缩小至纳米尺度，传统的平面金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）面临着诸多严峻挑战，如短沟道效应