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基于第一性原理计算的二维半导体与多铁材料特性及应用研究
一、引言
1.1研究背景与意义
在当今材料科学领域,二维半导体材料和多铁材料因其独特的物理性质与广泛的应用前景,成为了研究的热点。二维半导体材料,作为一类具有原子层厚度的半导体材料,展现出了与传统三维材料截然不同的电学、光学以及机械性能。典型的二维半导体材料包含石墨烯、过渡金属二硫化物(如MoS?、WS?)等。其原子级别的厚度赋予了它们诸多优异特性,比如高载流子迁移率、可调控的带隙以及出色的光学响应等。这些特性使得二维半导体材料在高性能电子器件、光电子器件、自旋电子器件以及能源转换和存储等领域展现出了巨大的应用潜力。在电子器件不断追
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