2025年大学《光电信息材料与器件-光电信息材料》考试参考题库及答案解析.docxVIP

2025年大学《光电信息材料与器件-光电信息材料》考试参考题库及答案解析

单位所属部门：________姓名：________考场号：________考生号：________

一、选择题

1.光电信息材料的特性不包括（）

A.高折射率

B.高导电率

C.光学稳定性

D.化学稳定性

答案：B

解析：光电信息材料通常具有高折射率和良好的光学稳定性、化学稳定性，以适应各种光电应用。高导电率通常不是光电信息材料的典型特性，导电性较高的材料一般归类为电子材料。

2.下列哪种材料不是常用的光电信息材料（）

A.氧化锌

B.硅

C.石墨

D.氮化镓

答案：C

解析：氧化锌、硅和氮化镓都是常用的光电信息材料，广泛应用于光电子器件中。石墨虽然具有导电性，但通常不用于光电信息材料领域。

3.光电信息材料的制备方法不包括（）

A.溅射沉积

B.外延生长

C.溶胶-凝胶法

D.熔融凝固法

答案：D

解析：溅射沉积、外延生长和溶胶-凝胶法都是常用的光电信息材料制备方法。熔融凝固法主要用于金属或合金的制备，不常用于光电信息材料。

4.光电信息材料的禁带宽度越大，其（）

A.导电性越好

B.光吸收波长越短

C.光吸收波长越长

D.化学稳定性越差

答案：B

解析：禁带宽度越大的材料，其能吸收的光子能量越高，对应的光吸收波长越短。禁带宽度越小，光吸收波长越长。

5.光电信息材料的晶格结构不包括（）

A.金刚石结构

B.石墨结构

C.密排六方结构

D.体心立方结构

答案：B

解析：金刚石结构、密排六方结构和体心立方结构都是常见的半导体材料晶格结构。石墨结构虽然也是碳的一种形式，但通常不用于光电信息材料。

6.光电信息材料的表面形貌对其光电性能的影响是（）

A.无影响

B.轻微影响

C.显著影响

D.无法确定

答案：C

解析：光电信息材料的表面形貌对其光电性能有显著影响，表面形貌可以影响材料的表面态、光吸收和器件的接触性能等。

7.光电信息材料的掺杂可以提高其（）

A.禁带宽度

B.导电性

C.光吸收波长

D.化学稳定性

答案：B

解析：掺杂可以改变光电信息材料的能带结构，提高其导电性。掺杂元素可以引入额外的能级，从而改变材料的导电性和光电性能。

8.光电信息材料的薄膜制备过程中，常用的成膜方法不包括（）

A.电子束蒸发

B.等离子体增强化学气相沉积

C.分子束外延

D.喷涂法

答案：D

解析：电子束蒸发、等离子体增强化学气相沉积和分子束外延都是常用的薄膜制备方法。喷涂法虽然可以用于制备薄膜，但通常不用于高质量的光电信息材料薄膜制备。

9.光电信息材料的缺陷对其光电性能的影响是（）

A.无影响

B.轻微影响

C.显著影响

D.无法确定

答案：C

解析：光电信息材料的缺陷对其光电性能有显著影响，缺陷可以引入额外的能级，影响材料的能带结构和光电性能。

10.光电信息材料的稳定性包括（）

A.光稳定性

B.化学稳定性

C.热稳定性

D.以上都是

答案：D

解析：光电信息材料的稳定性包括光稳定性、化学稳定性和热稳定性，这些稳定性都是材料在实际应用中需要考虑的重要因素。

11.光电信息材料的禁带宽度越小，其（）

A.导电性越好

B.光吸收波长越短

C.光吸收波长越长

D.化学稳定性越差

答案：C

解析：禁带宽度越小的材料，其能吸收的光子能量越低，对应的光吸收波长越长。禁带宽度越大的材料，光吸收波长越短。

12.光电信息材料的制备方法中，属于物理气相沉积的是（）

A.溶胶-凝胶法

B.化学气相沉积

C.溅射沉积

D.喷涂法

答案：C

解析：溅射沉积是通过物理过程将材料从靶材中溅射出来，形成薄膜，属于物理气相沉积。溶胶-凝胶法、化学气相沉积和喷涂法属于化学或物理化学沉积方法。

13.光电信息材料的晶格缺陷中，填隙原子是指（）

A.晶格点阵中的空位

B.晶格点阵中的多余原子

C.晶格点阵中的间隙位置

D.晶格点阵中的替位原子

答案：B

解析：填隙原子是指存在于晶格点阵间隙位置的多余原子。晶格点阵中的空位称为空位缺陷，替位原子是指取代了晶格点阵中原有原子的外来原子。

14.光电信息材料的表面处理方法中，可以提高材料表面亲水性的是（）

A.表面改性

B.表面抛光

C.表面沉积

D.表面刻蚀

答案：A

解析：表面改性可以通过引入亲水基团等方式提高材料表面的亲水性。表面抛光主要改善材料的表面光滑度，表面沉积是在材料表面覆盖一层薄膜，表面刻蚀是去除材料表面的部分物质。

15.光电信息材料的能带结构中，价带顶和导带底之间的能量差称为（）

A.禁带宽度

B.费米能级

C.能隙

D.掺杂能级

答案：A

解析：禁带宽度是指半导体材料中价带顶和导带底之