先驱体法制备自支撑硅氧碳复合薄膜散热基板及其在LED封装中的应用研究.docxVIP

先驱体法制备自支撑硅氧碳复合薄膜散热基板及其在LED封装中的应用研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着科技的飞速发展，发光二极管（LED）作为一种新型的高效固态光源，凭借其体积小、亮度高、寿命长、低能耗、无污染、安全电压低及响应时间短等优良特性，在照明、显示、汽车、医疗等众多领域得到了广泛应用，被誉为21世纪最具发展前景的绿色照明光源。然而，LED在工作过程中存在一个严重的问题，即大量的电能会转化为热能。通常情况下，LED高功率产品输入功率仅有约20%能转换成光，剩下80%的电能均转换为热能。由于LED芯片有源区面积小，工作电流大，这些热量极易在短时间内积累，导致结温升高。过高的结温会引发一系列负面效应，如输出光功率减小、芯片蜕化加速、荧光粉量子产率降低以及器件寿命缩短等，严重制约了LED的性能提升和应用拓展。

在LED的散热途径中，散热基板起着至关重要的作用。它是将LED芯片产生的热量导出的关键部件，直接影响着LED的散热效果。理想的LED散热基板应具备高导热高绝缘、高平整性与机械强度，以及与芯片匹配的热膨胀系数等特性。目前常用的铜、铝金属基板，虽然具有一定的导热性能，但其热膨胀系数与芯片不匹配，在工作过程中容易产生热应力，这不仅会影响LED的发光质量，还可能导致器件损坏，缩短其使用寿命。因此，开发一种新型的高性能散热基板材料，对于解决LED的散热问题，推动LED产业的发展具有重要意义。

硅氧碳复合薄膜作为一种新型的材料，具有独特的结构和性能优势，在解决LED散热问题方面展现出了巨大的潜力。其内部通常具有细小等轴β-SiC纳米晶弥散分布在非晶态相SiO?C和游离碳基体的复合结构，这种结构赋予了它良好的热传导性能、绝缘性能以及与LED芯片相匹配的热膨胀系数。通过先驱体法制备硅氧碳复合薄膜，可以精确控制薄膜的组成和结构，从而实现对其性能的优化。此外，对硅氧碳复合薄膜进行改性处理，如引入特定的元素或纳米颗粒，还可以进一步提高其散热性能和综合性能。将改性后的硅氧碳复合薄膜应用于LED封装，有望有效解决LED的散热难题，提高LED的发光效率和使用寿命，推动LED产业向更高性能、更低成本的方向发展。因此，本研究具有重要的理论意义和实际应用价值，对于促进LED产业的技术进步和可持续发展具有积极的推动作用。

1.2国内外研究现状

在先驱体法制备硅氧碳复合薄膜方面，国内外学者已开展了大量研究。先驱体转化法是陶瓷材料制备领域的一次重大变革，它以有机金属聚合物作为先驱体，经过不熔化处理和高温裂解，使之变成无机陶瓷材料。国外如美国、日本等国家在这方面的研究起步较早，取得了一系列重要成果。他们通过对先驱体的分子结构设计和合成工艺优化，制备出了具有不同微观结构和性能的硅氧碳复合薄膜。例如，通过调整先驱体中硅、碳、氧等元素的比例，以及引入特定的官能团，可以有效地调控薄膜的热导率、绝缘性和机械性能。在国内，许多科研机构和高校也在积极开展相关研究。研究人员采用熔融纺膜法与先驱体转化法相结合的技术，制备出了连续的硅氧碳薄膜，并对其成型工艺和性能进行了深入研究。还有学者通过对先驱体进行改良和高聚物掺杂，得到了光学性质、电学性质等性质更加优异的碳化硅薄膜，由于在后续的氧化交联不熔化处理过程中引入氧，最终形成了碳化硅纳米晶体弥散在无定形硅氧碳及游离碳基体中的稳定结构。然而，目前在制备工艺的稳定性和规模化生产方面仍存在一定挑战，需要进一步优化工艺参数和设备，以提高薄膜的质量和生产效率。

对于硅氧碳复合薄膜的改性研究，国内外也有不少探索。在国外，有研究通过在硅氧碳复合薄膜中引入纳米颗粒，如碳纳米管、纳米氧化铝等，来增强其机械性能和导电性能。通过在硅氧碳基体中均匀分散碳纳米管，利用碳纳米管优异的力学性能和导电性能，有效提高了复合薄膜的强度和电导率。国内则有研究尝试通过改变薄膜的微观结构，如调控β-SiC纳米晶的尺寸和分布，来改善其散热性能。通过控制热处理工艺，实现了对β-SiC纳米晶尺寸和分布的精确调控，从而优化了薄膜的热传导路径，提高了散热效率。但是，目前对于改性机理的研究还不够深入，不同改性方法之间的协同效应也有待进一步探索，这限制了改性效果的进一步提升。

在硅氧碳复合薄膜在LED封装应用方面，国外一些研究团队已经进行了初步的实验和探索。他们将制备好的硅氧碳复合薄膜作为散热基板应用于LED封装，通过实验测试发现，能够在一定程度上降低LED的结温，提高其发光效率和稳定性。国内也有相关研究，通过将硅氧碳复合薄膜与LED芯片进行封装实验，分析了薄膜的散热性能对LED器件性能的影响。通过丝网印刷法在薄膜表面获得两条平行高温银浆电路层，