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可控硅工作原理与应用技术手册

前言

可控硅，作为一种重要的电力电子器件，自问世以来便在工业控制、电力变换、家用电器等诸多领域发挥着不可替代的作用。其以小巧的体积、强大的功率控制能力和相对简单的驱动方式，成为了实现电能高效控制与转换的关键元件。本手册旨在系统阐述可控硅的工作原理、特性参数、驱动与保护技术及其典型应用，为工程技术人员提供一份实用的技术参考资料，助力相关领域的设计、调试与维护工作。

第一章可控硅的基本结构与工作原理

1.1基本结构

可控硅，英文名称为Thyristor，通常指的是单向晶闸管（SCR-SiliconControlledRectifier），是一种四层三端半导体器件。其内部由P型半导体和N型半导体交替叠合而成，形成PNPN四层结构，拥有三个PN结（J1、J2、J3）。三个引出电极分别为：阳极（A）、阴极（K）和门极（G），其中门极又称为控制极，是实现可控导通的关键。

1.2工作原理简述

可控硅的工作状态可以通过其内部PN结的状态变化来理解。在未加触发信号时，即使阳极与阴极之间加上正向电压（阳极接正，阴极接负），由于中间的J2结处于反向偏置状态，可控硅整体呈现高阻截止状态，仅有微小的漏电流流过。

当在门极与阴极之间加上适当的正向触发电压（门极接正，阴极接负）时，会在门极回路产生触发电流。这个触发电流会使得J2结的阻挡作用被打破，可控硅内部形成强烈的正反馈过程，迅速从高阻截止状态转变为低阻导通状态。此时，阳极与阴极之间电压降很小，流过较大的负载电流。

一旦可控硅导通，门极便失去其控制作用。要使可控硅重新关断，必须将阳极电流降低到一个称为“维持电流”的临界值以下，或者将阳极与阴极之间的电压反向。

1.3等效模型与工作机制

为了便于理解可控硅的导通机制，可以将其等效为两个互补的三极管组合：一个PNP三极管（Q1）和一个NPN三极管（Q2）。其中，Q1的集电极与Q2的基极相连，Q2的集电极与Q1的基极相连，门极G连接到Q2的基极，阳极A连接到Q1的发射极，阴极K连接到Q2的发射极（或Q1的集电极公共点）。

当门极加入正向触发电流Ig时，该电流流入Q2的基极，使Q2导通，Q2的集电极电流Ic2流过Q1的基极，使Q1也随之导通。Q1导通后的集电极电流Ic1又进一步为Q2提供基极电流，如此形成强烈的正反馈，两个三极管迅速饱和导通，整个可控硅进入低阻导通状态。

1.4伏安特性曲线

可控硅的伏安特性曲线是描述其阳极与阴极之间电压（UAK）和阳极电流（IA）关系的曲线，门极电流（IG）为参变量。曲线大致可分为以下几个区域：

*正向阻断区：当阳极加正向电压，门极不加触发信号时，可控硅处于阻断状态，仅有极小的漏电流。此时J1、J3结正偏，J2结反偏。

*正向导通区：当门极加入有效触发信号后，J2结被击穿，可控硅由阻断转为导通，特性类似于二极管的正向导通特性，管压降很小。

*反向阻断区：当阳极加反向电压时，无论门极是否有信号，J1、J3结反偏，J2结正偏，可控硅处于阻断状态，只有极小的反向漏电流。若反向电压超过反向击穿电压，则会发生反向击穿。

1.5主要工作状态与参数

*阻断状态：包括正向阻断和反向阻断，此时可控硅不导通。

*触发导通：满足阳极正向电压、门极正向触发信号两个条件时，可控硅从阻断转为导通。

*维持导通：导通后，即使撤去门极信号，只要阳极电流大于维持电流（IH），可控硅就能保持导通。

*关断：要使导通的可控硅关断，需使阳极电流降低到维持电流以下，或施加反向阳极电压（对于交流应用，自然过零时电流为零，可控硅会自动关断）。

关键参数包括：正向阻断峰值电压（VDRM）、反向阻断峰值电压（VRRM）、额定通态平均电流（IT(AV)）、维持电流（IH）、擎住电流（IL）、门极触发电流（IGT）、门极触发电压（VGT）等。

1.6双向可控硅（TRIAC）简介

双向可控硅是一种可以双向导通的可控硅器件，相当于两个单向可控硅反向并联，共享一个门极。它具有两个主电极（T1、T2）和一个门极（G）。其工作原理与单向可控硅类似，但门极触发信号的极性和大小可以控制其在两个方向上的导通。双向可控硅广泛应用于交流调压、交流开关等领域。

第二章可控硅的触发电路

可控硅的可靠触发是其正常工作的前提。触发电路的作用是提供符合要求的门极触发信号，使其能够按照预期的时刻导通。

2.1对触发电路的基本要求

触发电路应满足以下基本要求：

*触发信号应有足够的幅度和宽度，确保可控硅可靠触发。

*触发脉冲的前沿应尽可能陡，以缩短开通时间。

*触发信号与主电路之间应有良好的电气隔离，通常采用脉冲变压器或光电耦合器。

*触发脉冲的相位应能在一定范围内连续可调（移相触发），或能在特