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B位掺杂对钙钛矿锰氧化物磁性与电输运性质的影响及机制探究

一、引言

1.1研究背景与意义

钙钛矿锰氧化物作为一类重要的功能材料，因其独特的物理性质在凝聚态物理和材料物理领域占据着举足轻重的地位。自庞磁电阻（CMR）效应被发现以来，这类材料便成为了研究的热点，吸引了众多科研人员的目光。CMR效应是指材料在一定磁场下电阻发生急剧变化的现象，其变化幅度可达几个数量级，这一特性使得钙钛矿锰氧化物在磁传感器、磁记录信号读出磁头和磁存储技术等领域展现出了巨大的应用潜力。例如，在磁传感器中，利用其对磁场的高灵敏度响应，能够实现对微弱磁场的精确检测，可应用于生物医学检测、地质勘探等领域；在磁记录领域，有望提高存储密度和读写速度，推动数据存储技术的发展。

在钙钛矿锰氧化物中，B位掺杂是一种重要的调控手段。B位离子通常为过渡金属离子，它们在决定材料的电子结构、磁性和电输运性质等方面起着关键作用。通过对B位进行不同元素的掺杂，可以改变B位离子的价态、离子半径以及电子云分布等，进而对材料的物理性质产生显著影响。例如，当在LaMnO?中掺入Fe离子时，Fe离子的引入会改变Mn离子的周围环境，导致Mn-O-Mn键角和键长发生变化，从而影响电子的自旋-轨道耦合以及电子的传输路径，最终改变材料的磁性和电输运性质。这种通过B位掺杂来调控材料性质的研究，不仅有助于深入理解钙钛矿锰氧化物中复杂的物理机制，如电荷、自旋、轨道和晶格自由度之间的交互耦合作用，而且对于拓展其应用领域具有重要的现实意义。通过合理的B位掺杂，可以优化材料的性能，使其更符合实际应用的需求，为开发新型的高性能磁性材料和电子器件提供理论基础和实验依据。

1.2研究现状

近年来，关于B位掺杂钙钛矿锰氧化物在磁性和电输运性质方面的研究取得了丰硕的成果。在磁性研究方面，众多研究表明，B位掺杂能够显著改变材料的磁有序状态和居里温度。如在一些研究中，发现掺杂某些稀土元素可以使材料的居里温度升高，增强铁磁相互作用；而掺杂其他元素则可能导致反铁磁相的出现或增强，改变磁结构。在电输运性质研究中，B位掺杂对材料的电阻率、金属-绝缘体转变温度等产生重要影响。研究发现，通过掺杂可以调控材料的载流子浓度和迁移率，从而改变电阻率。一些掺杂体系中还观察到了绝缘体-金属转变现象，并且转变温度可通过掺杂种类和含量进行调节。

然而，当前研究仍存在一些不足之处和有待深入探究的方向。虽然对一些常见的B位掺杂体系有了一定的认识，但对于多种元素共掺杂以及复杂掺杂体系的研究还相对较少，这些复杂体系中元素之间的协同作用和相互影响机制尚不明确。在磁性和电输运性质的关联研究方面，虽然已经知道二者相互影响，但具体的定量关系和内在联系还需要进一步深入研究。此外，对于B位掺杂钙钛矿锰氧化物在极端条件下（如高压、低温等）的物理性质研究也相对匮乏，这限制了对其全面物理性质的理解和应用拓展。

1.3研究目的与方法

本文旨在深入研究B位掺杂对钙钛矿锰氧化物磁性和电输运性质的影响规律及内在机制。通过系统地改变B位掺杂元素的种类和含量，制备一系列不同掺杂体系的钙钛矿锰氧化物样品，全面表征其磁性和电输运性质，从而揭示B位掺杂与材料物理性质之间的内在联系，为进一步优化材料性能和拓展应用提供理论支持。

在研究方法上，采用固相反应法、溶胶-凝胶法等实验制备方法合成高质量的钙钛矿锰氧化物多晶样品。固相反应法具有工艺简单、成本低的优点，能够大规模制备样品；溶胶-凝胶法可以精确控制化学组成，制备出均匀性好的样品。利用X射线衍射（XRD）技术对样品的晶体结构进行分析，确定其晶格参数、晶体对称性等信息，为后续的物理性质研究提供结构基础。通过振动样品磁强计（VSM）测量样品的磁化强度随温度和磁场的变化关系，从而获取磁性参数，如居里温度、饱和磁化强度等，研究其磁相变行为和磁有序状态。使用标准四探针法测量样品的电阻率随温度的变化，研究电输运性质，分析金属-绝缘体转变等现象。还运用第一性原理计算等理论分析方法，从电子结构层面深入探讨B位掺杂对材料磁性和电输运性质的影响机制，为实验结果提供理论解释和预测。

二、钙钛矿锰氧化物及B位掺杂原理

2.1钙钛矿锰氧化物的基本结构与性质

2.1.1晶体结构

钙钛矿锰氧化物的化学通式为ABO?，其理想结构为立方晶系，空间群为Pm3m。在这种结构中，A位通常为半径较大的稀土元素离子或碱土金属离子，如La3?、Ca2?等，它们位于立方晶胞的顶点位置，构成了一个简单立方晶格。B位则为过渡金属锰离子（Mn），处于晶胞的体心位置，被六个氧离子（O）以八面体配位的形式包围，形成MnO?八面体。氧离子位于晶胞的面心，与A位