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光刻工艺中掩模缺陷的检测与修复算法

引言

在半导体制造领域，光刻工艺是决定芯片集成度与性能的核心环节。作为光刻的“底片”，掩模（Mask）的质量直接影响晶圆上图案的精度。随着芯片制程向3纳米、2纳米节点推进，掩模上的微小缺陷（如纳米级颗粒、图形畸变等）可能导致晶圆上出现功能性失效，甚至引发整片晶圆报废。据统计，先进制程中因掩模缺陷导致的良率损失占比超过15%，这使得掩模缺陷的检测与修复技术成为制约半导体产业发展的关键瓶颈。本文将围绕掩模缺陷的类型、检测算法的演进、修复技术的优化以及两者的协同机制展开深入探讨，旨在为相关领域的技术研发提供理论参考。

一、掩模缺陷的基本认知与影响分析

要实现高效的