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12月1+X集成电路理论模拟试题含参考答案

一、单选题（共20题，每题1分，共20分）

1.题目：在扎针测试时，如果遇到需要加温的晶圆，对晶圆的加温是（）。

A：在扎针调试前后都可以

B：在扎针调试之前

C：在扎针调试之后

D：在扎针调试过程中

答案：(B)

2.题目：平移式分选机设备的上料步骤正确的是：()。

A：待测芯片上料→吸嘴转移芯片→空料盘替换

B：空料盘替换→待测芯片上料→吸嘴转移芯片

C：吸嘴转移芯片→空料盘替换→待测芯片上料

D：吸嘴转移芯片→待测芯片上料→空料盘替换

答案：(A)

解析：平移式分选机设备的上料步骤为：待测芯片上料→吸嘴转移芯片→空料盘替换。

3.题目：在AD软件中，当项目被编译后，任何错误都将显示在（）。

A：Debug面板

B：Navigator面板

C：Project面板

D：Message面板

答案：(D)

解析：在AD软件中，当项目被编译后，任何错误都将显示在Message面板中。Message面板用于显示与项目编译、分析等相关的各种信息，包括错误、警告等。Debug面板主要用于调试相关操作；Navigator面板用于浏览项目结构等；Project面板用于展示项目的文件层次结构等。所以答案是A。

4.题目：晶圆进行扎针测试时，测试机将测试结果通过（）传输给探针台。

A：GPIB

B：USD

C：HDMI

D：VGA

答案：(A)

解析：在晶圆扎针测试过程中，测试机通常通过GPIB（通用接口总线）将测试结果传输给探针台，以实现设备之间的数据交互和通信。而USD并非常见的这种测试数据传输接口；HDMI主要用于高清视频传输；VGA常用于计算机视频输出，均不符合测试机与探针台之间传输测试结果的需求。

5.题目：若进行打点的晶圆规格为5英寸，应选择的墨盒规格为？（）

A：8mil

B：5mil

C：30mil

D：10mil

答案：(B)

6.题目：真空包装时，需要在包装盒外套上()。

A：海绵

B：不透明塑料袋

C：防静电铝箔袋

D：包装袋

答案：(C)

解析：在将晶圆放入包装盒后，一般会在包装盒外套上防静电铝箔袋。

7.题目：自定义元件库需与原理图文件放在同一（）中。

A：Message

B：Navigator

C：Project

D：Target

答案：(C)

解析：自定义元件库需与原理图文件放在同一项目（Project）中，这样便于统一管理和调用相关文件，其他选项不符合要求。

8.题目：重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将检测结果通过()把结果传回分选机。

A：GPIB

B：VGA

C：数据线

D：串口

答案：(A)

解析：重力式分选机进行芯片检测时，测试机对芯片测试完毕后，将芯片检测结果通过GPIB传回分选机

9.题目：在全自动探针台上进行扎针调试时，若发现探针整体偏移，则对应的处理方式是：()。

A：更换探针测试卡D、调节扎针深度

B：利用摇杆微调扎针位置

C：相关技术人员手动拨针，使探针移动至相应位置

答案：(B)

解析：扎针调试时通过对焦图检查到针印整体偏移，需要用摇杆微调整体的扎针位置。

10.题目：若使用串口助手下载程序到单片机，则需要keil软件生成（）文件。

A：Hex

B：Crf

C：Inp

D：Dsp

答案：(A)

11.题目：最大不失真输出电压测试，输入信号步进值（），但测试时间会随输入电压步进值（）。

A：越小越好、增加而增加

B：越小越好、减小而增加

C：越大越好，减小而减小

D：越大越好、增加而减小

答案：(B)

12.题目：下列选项中，（）是封装工艺中不涉及的工序。

A：第四道光检

B：第二道光检

C：第一道光检

D：第三道光检

答案：(C)

解析：封装工艺中，第二道光检主要是针对晶圆切割之后的外观检查，是否有出现废品（崩边等情况）。引线键合完成后要进行第三道光检，主要是为了检查芯片粘接和引线键合过程中有没有产生废品。切筋成型之后需要进行第四道光检，针对后段工艺的产品进行检查、剔除。

13.题目：封装工艺中，将塑封后的芯片放到温度为175±5℃的高温烘箱内的作用是（）。

A：改变塑封外形

B：消除内部应力，保护芯片

C：测试产品耐高温效果

D：剔除塑封虚封的产品

答案：(B)

解析：在封装工艺中，将塑封后的芯片放到特定温度的高温烘箱内，主要目的是消除内部应力，保护芯片。高温处理有助于释放芯片在塑封过程中产生的应力，避免这些应力对芯片性能产生不良影响，从而起到保护芯片的作用。测试产品耐高温效果通常不是这个步骤的主要作用；该步骤不能改变塑封外形；也无法剔除塑封虚封的产品。

14.题目：晶圆切割的作用是（）。

A：对晶圆边缘进行修正

B：切除电气性能不良的晶粒

C：将完整的晶圆分割成单独的晶粒

D：在完整的晶圆上划出切割道的