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（1）半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。（2）在一定温度下，本征半导体因本征激发而产生自由电子和空穴对，故其有一定的导电能力。（3）本征半导体的导电能力主要由温度决定；杂质半导体的导电能力主要由所掺杂质的浓度决定。（4）P型半导体中空穴是多子，自由电子是少子；N型半导体中自由电子是多子，空穴是少子。（5）半导体的导电能力与温度、光强、杂质浓度和材料性质有关。三、PN结的击穿特性当加于PN结两端的反向电压增大到一定值时，PN结的反向电流将随反向电压的增大而急剧增大，这种现象称为反向击穿。1.共发射极电流放大系数U0IA稳压二极管
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