电力电子应用技术第二讲半导体基础.pptVIP

半导体基础知识电子电流与空穴电流因电场使载流子移动称为漂移，由于浓度差使载流子移动叫做扩散。在没有外部电场作用下，空穴电子对不断产生又不断复合，处于无规律的状态。在外电场的作用下，电子产生有规律的定向运动，从一个原子到另一个原子。在电子定向运动的同时，空穴则按与价电子运动的方向相反，因此空穴运动相当于正电荷的运动，称为空穴电流。空穴呢？本征半导体的导电性？本征半导体的导电性主要取决于温度：温度越高，载流子的浓度越高，导电能力越强。本征半导体材料的导电性能受温度影响太大，应用受到很大限制。第28页，共46页，星期日，2025年，2月5日电子半导体基础知识掺杂半导体：掺入特定杂质单方面增加导电电子或空穴浓度N型半导体：在本征半导体中掺入五价原子，在构成共价键结构时将产生一个自由电子+P(磷)SiSiSiSiSiSiP这种以自由电子导电作为主要导电方式的半导体称为电子型半导体或N（Negative）型半导体。N型半导体的多数载流子是电子。第29页，共46页，星期日，2025年，2月5日半导体基础知识P型半导体在本征半导体中掺入三价原子，在构成共价键结构时将产生一个空穴B(硼)+空穴SiSiSiSiSiSiB这种以空穴导电作为主要导电方式的半导体称为空穴型半导体或P（Positive）型半导体。多数载流子为空穴。第30页，共46页，星期日，2025年，2月5日半导体基础知识掺杂半导体：一般情况下，杂质半导体中的多数载流子的数量可达到少数载流子数量的1010倍或更多，因此，杂质半导体比本征半导体的导电能力可增强几十万倍。在室温情况下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电子载流子的数目将增加几十万倍。第31页，共46页，星期日，2025年，2月5日半导体基础知识为什么要对半导体采用掺杂工艺？掺杂半导体的载流子浓度主要取决于掺杂类型和比例，与本征激发载流子相比，受温度的影响相对小得多，因此工作温度范围宽、性能稳定。随着温度的升高，半导体材料的本征激发越来越强，本征激发载流子的浓度也越来越高。当本征激发载流子浓度与掺杂载流子浓度达到可比拟的程度时，会出现什么现象？ －－半导体材料和器件将失效 －－温度是影响电力电子器件性能的一个十分重要的环境因素PN掺杂材料空穴和电子浓度多数载流子类型3价元素5价元素空穴浓度高电子浓度高空穴电子P型和N型半导体的对比第32页，共46页，星期日，2025年，2月5日半导体基础知识课堂讨论空穴到底是什么？掺杂半导体中，电子空穴还是成对产生的吗？N型半导体中的自由电子多于空穴，P型半导体中的空穴多于自由电子，是否N型半导体带负电，P型半导体带正电？P、N型半导体中是否存在“净”电荷或是静电场？第33页，共46页，星期日，2025年，2月5日电力电子应用技术第二讲半导体基础第1页，共46页，星期日，2025年，2月5日内容大纲半导体材料半导体基础知识PN结第2页，共46页，星期日，2025年，2月5日*什么是半导体材料？半导体材料半导体材料是指室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料；靠电子和空穴两种载流子实现导电；室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。半导体材料是半导体工业的基础，它的发展对半导体技术的发展有极大的影响。第3页，共46页，星期日，2025年，2月5日*按化学成分和内部结构可分为：1.元素半导体：硅、锗、硒、硼、碲、锑等2.化合物半导体：砷化镓、磷化锢、锑化锢、碳化硅、硫化镉及镓砷硅等3.无定形半导体材料：分为氧化物玻璃和非氧化物玻璃两种4.有机半导体材料：萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，目前尚未得到应用。半导体材料第4页，共46页，星期日，2025年，2月5日*深灰色、带蓝色调硅的特性总体特性名称,符号,序号硅、Si、14系列类金属族,周期,元素分区14族(IVA),3,p密度、硬度2330kg/m3、6.5颜色和外表地壳含量25.7%第5页，共46页，星期日，2025年，2月5日*原子属性原子量28.0855原子量单位价电子排布[氖]3s23p2电子在每能级的排布2，8，4氧化价（氧化物）4（两性的）晶体结构钻石结构物理属性物质状态固态熔点1687K（1414°C）沸点3173K（