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功率半导体器件工程师招聘笔试考试试卷和答案
一、填空题(每题1分,共10分)
1.常见的功率半导体器件有______。(答案:晶闸管、功率二极管、功率MOSFET、IGBT等)
2.IGBT是______和______复合而成的器件。(答案:绝缘栅双极型晶体管,电力场效应管)
3.功率二极管的主要参数有______。(答案:额定电流、额定电压等)
4.MOSFET的三个电极分别是______。(答案:栅极、源极、漏极)
5.晶闸管的导通条件是______。(答案:阳极加正向电压,门极加适当正向触发信号)
6.功率半导体器件的散热方式主要有______。(答案:风冷、水冷等)
7.电力电子技术主要是对电能进行______。(答案:变换和控制)
8.功率半导体器件工作时会产生______。(答案:损耗,发热等)
9.常用的驱动电路有______。(答案:线性光耦驱动、脉冲变压器驱动等)
10.功率半导体器件应用领域包括______。(答案:工业自动化、新能源汽车等)
二、单项选择题(每题2分,共20分)
1.下列器件中,开关速度最快的是()
A.晶闸管B.IGBTC.功率MOSFETD.功率二极管
(答案:C)
2.晶闸管维持导通的条件是()
A.阳极电流大于维持电流
B.门极有触发信号
C.阳极加反向电压
D.以上都不对
(答案:A)
3.功率MOSFET属于()器件。
A.电流控制型B.电压控制型C.双极型D.复合型
(答案:B)
4.IGBT的开通和关断是由()控制的。
A.栅极电压B.阳极电流C.阴极电压D.门极电流
(答案:A)
5.功率二极管的正向压降一般在()左右。
A.0.1VB.0.7VC.1.5VD.2V
(答案:B)
6.下列哪种散热方式效率最高()
A.风冷B.水冷C.油冷D.自然散热
(答案:B)
7.电力电子技术的核心是()
A.功率半导体器件B.控制电路C.驱动电路D.散热电路
(答案:A)
8.功率半导体器件的损耗主要包括()
A.通态损耗B.开关损耗C.断态损耗D.以上都是
(答案:D)
9.驱动IGBT一般采用()
A.电压源驱动B.电流源驱动C.电阻驱动D.电容驱动
(答案:A)
10.以下不是功率半导体器件应用领域的是()
A.照明B.通信C.航空航天D.生物制药
(答案:D)
三、多项选择题(每题2分,共20分)
1.功率半导体器件的特性包括()
A.耐压高B.电流大C.开关速度快D.功耗低
(答案:ABC)
2.晶闸管的主要参数有()
A.额定电压B.额定电流C.维持电流D.触发电流
(答案:ABCD)
3.功率MOSFET的优点有()
A.开关速度快B.输入阻抗高C.驱动功率小D.通态电阻小
(答案:ABC)
4.IGBT的特点包含()
A.高电压大电流B.开关速度快C.导通压降小D.易于驱动
(答案:ABCD)
5.功率半导体器件的散热措施有()
A.散热片B.风扇C.热管D.水冷系统
(答案:ABCD)
6.驱动电路的要求有()
A.提供合适的驱动信号B.电气隔离C.保护功能D.输出功率大
(答案:ABC)
7.功率半导体器件在以下哪些设备中广泛应用()
A.变频器B.电焊机C.开关电源D.电动汽车充电桩
(答案:ABCD)
8.常用的功率半导体器件制造材料有()
A.硅B.碳化硅C.氮化镓D.锗
(答案:ABC)
9.功率半导体器件的失效形式有()
A.过电压击穿B.过电流烧毁C.热失效D.静电损坏
(答案:ABCD)
10.以下属于电力电子变换类型的是()
A.整流B.逆变C.斩波D.变频
(答案:ABCD)
四、判断题(每题2分,共20分)
1.功率半导体器件工作时不需要考虑散热问题。(×)
2.晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。(√)
3.功率MOSFET是电流控制型器件。(×)
4.IGBT的导通压降比功率MOSFET大。(√)
5.功率二极管的反向电流越小越好。(√)
6.风冷适合大功率器件的散热。(×)
7.驱动电路可以不进行电气隔离。(×)
8.所有功率半导体器件都能承受很高的电压。(×)
9.功率半导体器件在电力系统中应用广泛。(√)
10.碳化硅材料的功率半导体器件性能不如硅材料。(×)
五、简答题(每题5分,共20分)
1.简述IGBT的工作原理。
答案:IGBT由绝缘栅双极型晶体管和电力场效应管复合而成。当栅极加正向电压时,形成沟道,电子从发射极注入,经过P基区到达N+集电极,器件导通。当栅极电压为0时,沟道消失,电流无法形成,器件关断。它结合了MOSFET驱动功率小和双极型晶体管导通压降低的优点,适用于高电压、大电流、开关频率较高的场合。
2.功率半导体器件在应用中需要考虑哪些参数?
答案:需要考虑额定电压,它决定了器件能承受的最大电压,超过会导致击穿;
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