有序可控纳米银阵列制备及其对掺氧氮化硅发光效率增强的深度剖析.docx

有序可控纳米银阵列制备及其对掺氧氮化硅发光效率增强的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

在现代信息技术飞速发展的背景下，硅基光电子学作为一个关键领域，正面临着前所未有的机遇与挑战。硅基材料由于其与成熟的互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的兼容性，在集成电路、传感器等众多领域有着广泛的应用基础。然而，硅基材料本身的发光效率较低，这严重限制了其在光发射器件，如硅基发光二极管（Si-LED）等方面的应用拓展。提升硅基材料的发光效率，对于实现硅基光电子的全集成，推动光通信、光存储、固态照明等领域的发展具有重要意义。

近年来，表面等离激元（SurfacePlasmon，SP）相关技术为解决硅