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2025年（电子科学与技术）半导体材料技术试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：本卷共20小题，每题2分。在每题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的。请将正确答案填涂在答题卡相应位置。

1.以下哪种材料不属于半导体材料？

A.硅

B.锗

C.铜

D.砷化镓

答案：C

2.半导体材料的导电性能介于

A.导体和绝缘体之间

B.超导体和导体之间

C.绝缘体和超导体之间

D.以上都不对

答案：A

3.硅半导体材料中，主要的载流子是

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.离子

答案：C

4.半导体材料的本征激发是指

A.电子从价带跃迁到导带

B.空穴从导带跃迁到价带

C.电子和空穴同时产生

D.以上都是

答案：D

5.杂质半导体中，P型半导体的多数载流子是

A.电子

B.空穴

C.离子

D.中子

答案：B

6.N型半导体是在本征半导体中掺入

A.三价元素

B.四价元素

C.五价元素

D.六价元素

答案：C

7.半导体二极管的核心结构是

A.PN结

B.金属电极

C.绝缘层

D.导线

答案：A

8.当PN结外加正向电压时，其电流主要是

A.扩散电流

B.漂移电流

C.热电流

D.感应电流

答案：A

9.半导体三极管有

A.两个PN结

B.三个PN结

C.四个PN结

D.五个PN结

答案：A

10.三极管工作在放大区时，其发射结和集电结的状态是

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏

D.发射结和集电结都反偏

答案：A

11.以下哪种半导体材料常用于制造高速集成电路？

A.硅

B.锗

C.碳化硅

D.氮化镓

答案：A

12.半导体材料的禁带宽度与

A.温度无关

B.温度成正比

C.温度成反比

D.温度有关，一般随温度升高而减小

答案：D

13.光照射半导体材料时，产生的光电效应是指

A.电子吸收光子能量跃迁

B.产生光生载流子

C.改变材料导电性能

D.以上都是

答案：D

14.以下哪种不是半导体材料的特性？

A.热敏性

B.光敏性

C.超导性

D.掺杂性

答案：C

15.制造半导体器件时，对半导体材料的纯度要求

A.不高

B.一般

C.很高

D.无所谓

答案：C

16.半导体材料的电阻率随温度升高而

A.增大

B.减小

C.不变

D.先增大后减小

答案：B

17.以下哪种半导体材料具有较高的电子迁移率？

A.硅

B.锗

C.砷化镓

D.碳化硅

答案：C

18.半导体材料的晶体结构通常有

A.立方结构

B.四方结构

C.六方结构

D.以上都是

答案：D

19.杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于

A.杂质浓度

B.温度

C.光照

D.外加电压

答案：B

20.半导体材料的光电特性可用于制造

A.发光二极管

B.太阳能电池

C.光电探测器

D.以上都是

答案：D

第II卷（非选择题共60分）

二、填空题（共10题，每题2分，共20分）

1.半导体材料的两种主要载流子是____和____。

答案：电子、空穴

2.本征半导体的导电能力取决于____。

答案：温度产生的本征激发

3.P型半导体是在本征半导体中掺入____价元素形成的。

答案：三

4.N型半导体中多数载流子是____。

答案：电子

5.PN结具有____特性。

答案：单向导电

6.半导体三极管工作在放大区时，发射结____偏，集电结____偏。

答案：正、反

7.半导体材料的电阻率与____和____有关。

答案：温度、杂质浓度

8.光照射半导体产生光电效应时，会产生____。

答案：光生载流子

9.制造半导体器件对材料纯度要求____。

答案：很高

10.半导体材料的晶体结构有____等多种。

答案：立方结构、四方结构、六方结构

三、简答题（共4题，每题5分，共20分）

1.简述半导体材料的本征激发过程。

____

答案：本征激发是指在一定温度下，半导体材料中的价电子获得足够能量，从价带跃迁到导带，从而在导带中产生电子，同时在价带中留下空穴的过程。这使得半导体具有一定的导电能力，且温度升高时，本征激发加剧，导电能力增强。

2.说明PN结的单向导电原理。

____

答案：当PN结外加正向电压时，外电场与内电场方向相反，削弱了内电场，使阻挡层变薄，扩散运动增强，形成较大的正向电流。当外加反向电压时，外电场与内电场方向相同，加强了内电场，使阻挡层变厚，漂移运动增强，反向电流很小。所以PN结具有单向导电特性。

3.分析半导体三极管工作在放大区的条件及特点。

____

答案：三极管工作在放大