（电子信息工程）模拟电子技术科目试题及答案.docVIP

2025年（电子信息工程）模拟电子技术科目试题及答案

分为第I卷（选择题）和第Ⅱ卷（非选择题）两部分，满分100分，考试时间90分钟。

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。

一、单项选择题（总共10题，每题2分）

1.半导体中的自由电子是由（）产生的。

A.电子挣脱共价键束缚

B.原子的外层电子

C.杂质原子提供

D.以上都不对

答案：A

2.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

A.增大

B.减小

C.不变

D.无法确定

答案：A

3.三极管工作在放大区时，发射结和集电结的状态是（）。

A.发射结正偏，集电结反偏

B.发射结反偏，集电结正偏

C.发射结和集电结都正偏

D.发射结和集电结都反偏

答案：A

4.场效应管是（）控制器件。

A.电流

B.电压

C.功率

D.频率

答案：B

5.共发射极放大电路中，输出电压与输入电压的相位关系是（）。

A.同相

B.反相

C.相差90°

D.相差180°

答案：B

6.放大电路的静态工作点设置过高会出现（）失真。

A.饱和

B.截止

C.交越

D.线性

答案：A

7.多级放大电路总的电压放大倍数等于各级放大电路电压放大倍数的（）。

A.和

B.差

C.积

D.商

答案：C

8.直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（）。

A.元件老化

B.晶体管参数受温度影响

C.电源电压不稳定

D.以上都是

答案：D

9.集成运放工作在线性区时，其两个输入端的电位（）。

A.相等

B.不等

C.同相

D.反相

答案：A

10.理想集成运放的开环电压放大倍数为（）。

A.无穷大

B.0

C.1

D.不确定

答案：A

二（此处标题可自拟，如：多项选择题）、多项选择题（总共10题，每题2分）

1.下列属于半导体材料的是（）。

A.硅

B.锗

C.铜

D.铁

答案：AB

2.二极管的主要参数有（）。

A.最大整流电流

B.反向饱和电流

C.反向击穿电压

D.极间电容

答案：ABCD

3.三极管的三个电极分别是（）。

A.基极

B.发射极

C.集电极

D.源极

答案：ABC

4.场效应管的类型有（）。

A.N沟道结型

B.P沟道结型

C.N沟道MOS型

D.P沟道MOS型

答案：ABCD

5.放大电路的性能指标有（）。

A.电压放大倍数

B.输入电阻

C.输出电阻

D.通频带

答案：ABCD

6.静态工作点的设置对放大电路的影响有（）。

A.影响放大倍数

B.影响不失真输出范围

C.影响输入电阻和输出电阻

D.影响电路稳定性

答案：ABCD

7.多级放大电路的耦合方式有（）。

A.直接耦合

B.阻容耦合

C.变压器耦合

D.光电耦合

答案：ABC

8.集成运放的输入级通常采用（）电路。

A.差动放大

B.共射放大

C.共集放大

D.共基放大

答案：A

9.集成运放的中间级主要作用是（）。

A.电压放大

B.电流放大

C.功率放大

D.提高输入电阻

答案：A

10.集成运放的输出级通常采用（）电路。

A.互补对称

B.共射放大

C.共集放大

D.共基放大

答案：A

三（此处标题可自拟，如：判断题）、判断题（总共4题，每题5分）

1.杂质半导体中的多数载流子和少数载流子都是由杂质原子提供的。（）

答案：×

2.三极管的发射区和集电区是同类型的半导体。（）

答案：×

3.共集电极放大电路的电压放大倍数小于1且近似等于1。（）

答案：√

4.负反馈可以改善放大电路的性能，所以负反馈越深越好。（）

答案：×

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

四、填空题（总共10题，每题2分）

1.半导体中参与导电的载流子有（）和（）。

答案：自由电子、空穴

2.二极管正向偏置时，呈现（）电阻，反向偏置时，呈现（）电阻。

答案：较小、很大

3.三极管的电流放大倍数β等于（）与（）之比。

答案：集电极电流、基极电流

（后续题目及答案可依次类推补充完整）

五、简答题（总共4题，每题5分）

1.简述二极管的单向导电性。

___

答案：二极管加正向电压时，呈现较小电阻，电流较大，处于导通状态；加反向电压时，呈现很大电阻，电流很小，处于截止状态，这就是二极管的单向导电性。

2.说明三极管工作在放大区的条件。

___

答案：三极管工作在放大区的条件是发射结正偏且集电结反偏。发射结正偏可