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2025年（电子科学与技术）微电子技术科目试题及答案

第I卷（选择题共40分）

答题要求：请将正确答案的序号填在括号内。每题2分，共20题。

1.微电子技术的核心是（）

A.集成电路B.晶体管C.芯片制造D.电子元件

2.以下哪种半导体材料常用于制造微电子器件（）

A.硅B.铜C.铁D.铝

3.MOSFET中，栅极的作用是（）

A.控制源漏电流B.提供电源C.散热D.支撑芯片

4.集成电路制造过程中，光刻的目的是（）

A.定义器件图形B.掺杂C.氧化D.沉积金属

5.半导体的导电特性介于（）之间。

A.导体和绝缘体B.超导体和导体C.绝缘体和超导体D.以上都不对

6.以下属于数字集成电路的是（）

A.放大器B.计数器C.振荡器D.滤波器

7.CMOS电路相比TTL电路，具有的优点是（）

A.功耗低B.速度快C.抗干扰能力强D.以上都是

8.微电子技术中，芯片封装的主要作用不包括（）

A.保护芯片B.提供电气连接C.提高芯片性能D.便于安装

9.半导体二极管的正向导通条件是（）

A.阳极接高电平，阴极接低电平B.阳极接低电平，阴极接高电平C.两极电平相同D.以上都不对

10.集成电路设计流程中，版图设计属于（）阶段。

A.系统设计B.逻辑设计C.物理设计D.测试验证

11.以下哪种工艺可以用于在硅片上形成绝缘层（）

A.光刻B.氧化C.掺杂D.沉积

12.微电子技术的发展趋势不包括（）

A.更小的特征尺寸B.更高的集成度C.更低的成本D.更大的芯片面积

13.对于一个n沟道MOSFET，当栅源电压为零时，漏源电流（）

A.很大B.很小C.为零D.不确定

14.数字电路中，逻辑门的输入和输出信号通常是（）

A.模拟信号B.数字信号C.脉冲信号D.正弦信号

15.集成电路制造中，化学气相沉积（CVD）主要用于（）

A.形成半导体层B.形成绝缘层C.形成金属层D.以上都可以

16.以下哪种技术可以提高集成电路的集成度（）

A.缩小晶体管尺寸B.增加芯片面积C.降低电源电压D.提高工作频率

17.半导体三极管有（）个电极。

A.1B.2C.3D.4

18.微电子技术中，测试芯片性能的目的不包括（）

A.验证设计正确性B.发现制造缺陷C.提高芯片速度D.评估芯片质量

19.以下哪种逻辑门实现“有1出0，全0出1”的功能（）

A.与门B.或门C.非门D.与非门

20.集成电路设计中，功耗优化的方法不包括（）

A.降低工作电压B.减少电路翻转C.增大芯片面积D.采用低功耗工艺

第Ⅱ卷（非选择题共60分）

二、填空题（每题2分，共10题，20分）

1.微电子技术主要包括____、____、____等方面。

2.半导体中参与导电的载流子有____和____。

3.MOSFET按导电沟道类型可分为____和____。

4.集成电路制造工艺中的掺杂方法有____和____。

5.数字电路中，常用的逻辑电平有____和____。

6.半导体的本征激发是指____。

7.微电子技术的发展历程经历了____、____、____等阶段。

8.集成电路设计中，常用的设计方法有____和____。

9.芯片封装的形式有____、____、____等。

10.半导体二极管的反向偏置时，电流____。

三、简答题（每题5分，共4题，20分）

1.简述MOSFET的工作原理。

___

MOSFET由栅极、源极和漏极组成。当栅极施加电压时，会在栅极下方的半导体表面感应出电荷，形成导电沟道。对于n沟道MOSFET，当栅源电压大于阈值电压时形成n型导电沟道，源漏之间可导通电流，电流大小受栅源电压控制。

2.说明集成电路制造过程中光刻的主要步骤。

___

光刻主要步骤包括：涂覆光刻胶，使光刻胶均匀覆盖在硅片表面；曝光，通过掩膜版将光刻图案转移到光刻胶上；显影，去除未曝光部分的光刻胶，从而在硅片上留下与掩膜版对应的光刻胶图案，为后续工艺提供图形模板。

3.简述数字集成电路中组合逻辑电路和时序逻辑电路的区别。

___

组合逻辑电路的输出仅取决于当