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应变与氢空位簇对锗烷电子结构的调控.pdf

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    摘要

    作为完全氢化的锗烯，锗烷具有合适的带隙、较高的载流子迁移率、较低的

    电噪声等优异的物理化学性能，在电子和光电子学、传感与催化等领域中具有广

    阔的应用前景。但锗烷制备过程中易出现氢空位缺陷，进而影响锗烷的电子特性

    与输运性质，因此研究具有氢空位簇锗烷的电子结构及其输运特性具有十分重要

    的意义。而在此基础上利用灵活方便的调控手段调控其基本特性，也对其今后的

    实验工作具有一定的理论指导意义。因此本文采用基于密度泛函理论的第一性

    原理计算方法，研究了双轴应变下单氢空位锗烷的几何结构、电子结构及

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