粉末涂敷法制备CuMSe₂（M=In,Ga,Ti）薄膜及其特性研究.docx

粉末涂敷法制备CuMSe?（M=In,Ga,Ti）薄膜及其特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

随着全球能源需求的不断增长以及对环境保护的日益重视，太阳能作为一种清洁、可再生的能源，在能源领域的地位愈发重要。太阳能电池作为将太阳能转化为电能的关键器件，其性能和成本直接影响着太阳能的广泛应用。CuMSe?（M=In，Ga，Ti）薄膜作为一种重要的半导体材料，在太阳能电池领域展现出巨大的潜力。

CuInSe?薄膜是一种典型的I-III-VI?族化合物半导体，具有直接带隙，其带隙宽度约为1.04eV，与太阳光谱的匹配度高，能够有效地吸收太阳光中的光子能量。此外，CuInSe?薄膜还具有较高