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匀胶、曝光、显影、坚膜、刻蚀Si3N4去胶、清洗、场区氧化1μmSi3N4作为硅片高温局部氧化的掩蔽层Si3N4膜第30页，共47页，星期日，2025年，2月5日〈100〉/〈111〉的腐蚀比达400：1Si3N4Si3N4作为硅片湿法腐蚀的掩蔽膜第31页，共47页，星期日，2025年，2月5日Si3N4作为硅芯片的保护膜铝焊盘钝化层第32页，共47页，星期日，2025年，2月5日钝化结构SiO2/SiPSG/SiO2/SiSi3N4/SiSi3N4/SiO2/Si可动离子密度(/cm2)＞10134.3×10126.5×10106.6×1010不同材料的阻钠能力虽然Si3N4/Si结构具有最好的阻钠能力，实际上由于界面存在极大的应力与极高的界面态密度，所以都采用Si3N4/SiO2/Si结构。第33页，共47页，星期日，2025年，2月5日4.3铝布线的优缺点■能长期工作优点■同硅或多晶硅能形成欧姆接触■电阻率能满足微米和亚微米电路的要求■与SiO2有良好的附着性■台阶的覆盖性好■易于淀积和刻蚀■易于键合第34页，共47页，星期日，2025年，2月5日缺点■在大电流密度下容易产生金属离子电迁移现象，导致电极短路。■铝硅之间容易产生“铝钉”，深度可达1μm，所以对于浅结工艺很容易造成PN结短路。第35页，共47页，星期日，2025年，2月5日5.1溅射根据采用的电源种类，等离子体溅射有两种方式：直流阴极溅射和射频溅射。直流阴极溅射是荷能粒子（一般采用正离子）轰击处在阴极的靶材，把靶材上的原子溅射到阳极的硅片上。5.等离子体加工技术小结第36页，共47页，星期日，2025年，2月5日第1页，共47页，星期日，2025年，2月5日1.高温氧化工艺1.1硅的热氧化硅的热氧化是指在高温下，硅片表面同氧气或水进行反应，生成SiO2。硅的热氧化有：干氧、湿氧、水汽氧化三种。第2页，共47页，星期日，2025年，2月5日如果氧化前已存在厚度为t0的氧化层，则（3-11）微分方程的解为：（tOX：是总的氧化层厚度）（4-12）式中在各种工艺条件下，参数A和B都是已知的，t是氧化时间。τ是一个时间参数，单位是小时（h）。（3-13）1.2硅热氧化的厚度计算第3页，共47页，星期日，2025年，2月5日3.2热氧化原理和方法O2扩散反应SiO2SiSi+O2=SiO2硅的热氧化分干氧和湿氧两种。干氧是在高温下氧分子与硅表面的原子反应生成SiO2。第4页，共47页，星期日，2025年，2月5日1.3不同的热氧化方式生长的SiO2膜性质比较●干氧氧化的SiO2膜结构致密，干燥、均匀性和重复性好、掩蔽能力强、钝化效果好，与光刻胶的接触良好，光刻时不易浮胶。●水汽氧化的SiO2膜结构疏松，表面有斑点和缺陷，含水量多，对杂质的掩蔽能力差，所以在工艺中很少单独采用。第5页，共47页，星期日，2025年，2月5日●湿氧氧化生长的膜致密性略差于干氧生长的SiO2膜，但它具有生长速率快的优点，其掩蔽能力和钝化效果都能满足一般器件的要求。其缺点是表面有硅烷醇存在，使SiO2膜与光刻胶接触不良，光刻时容易浮胶。同时，湿氧氧化后的Si片表面存在较多的位错和腐蚀坑。第6页，共47页，星期日，2025年，2月5日在实际工艺应用中，生长高质量的几百?的SiO2薄膜一般采用干氧的方式。SiO2薄膜厚度需要几千?以上时，一般采用干氧—湿氧—干氧的方式，既保证了所需的厚度，缩短了氧化时间，又改善了表面的完整性和解决了光刻时的浮胶问题。●热氧化生长的SiO2薄膜质量好，但是反应温度比较高。衬底只能用于单晶硅表面。第7页，共47页，星期日，2025年，2月5日●离子注入可以通过分别调节注入离子的能量、数量，精确地控制掺杂的深度和浓度，所以可以制备理想的杂质分布。离子注入的优点2.离子注入第8页，共47页，星期日，2025年，2月5日●扩散法掺杂时受到化学结合力、扩散系数及固溶度等方面的限制，而离子注入是一个物理过程，所以它可以注入各种元素。●扩散法是在高温下掺杂，离子注入法掺杂一