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半导体制造工艺规程详解及考试题库

一、单选题（每题2分，共20题）

1.在半导体制造中，以下哪种材料常用于制作光刻胶的成膜剂？（）

A.聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）

B.聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）

C.聚氯乙烯（PVC）

D.聚四氟乙烯（PTFE）

答案：B

2.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术中，常用的氮化硅（SiN）沉积过程中，哪种气体是主要的反应物？（）

A.SiH4+N2

B.SiCl4+NH3

C.SiH4+NH3

D.SiF4+N2

答案：C

3.在光刻工艺中，以下哪种掩模版类型适用于深紫外（DUV）光刻技术？（）

A.掩模版步进机（Stepper）

B.掩模版扫描机（Scanner）

C.掩模版投影机（Projector）

D.以上都是

答案：D

4.在刻蚀工艺中，湿法刻蚀与干法刻蚀相比，其主要优势是？（）

A.刻蚀速率更高

B.刻蚀选择性更好

C.对设备要求更低

D.刻蚀结果更均匀

答案：C

5.在半导体器件制造中，以下哪种材料常用于制作栅氧化层？（）

A.SiO2

B.Si3N4

C.Al2O3

D.以上都是

答案：D

6.在薄膜沉积工艺中，磁控溅射技术的主要优势是？（）

A.沉积速率高

B.沉积均匀性差

C.对基板温度要求高

D.沉积材料纯度低

答案：A

7.在光刻工艺中，以下哪种方法常用于提高分辨率？（）

A.减小曝光剂量

B.增大曝光剂量

C.使用更短波长的光源

D.以上都是

答案：C

8.在刻蚀工艺中，以下哪种技术属于干法刻蚀？（）

A.湿法刻蚀

B.等离子体刻蚀

C.化学刻蚀

D.湿法+干法刻蚀

答案：B

9.在半导体器件制造中，以下哪种工艺常用于形成源极和漏极？（）

A.扩散

B.沉积

C.刻蚀

D.光刻

答案：A

10.在薄膜沉积工艺中，原子层沉积（ALD）技术的主要优势是？（）

A.沉积速率高

B.沉积均匀性好

C.对基板温度要求高

D.沉积材料纯度低

答案：B

二、多选题（每题3分，共10题）

1.在半导体制造中，以下哪些材料常用于制作绝缘层？（）

A.SiO2

B.Si3N4

C.Al2O3

D.SiC

E.SiGe

答案：ABC

2.在光刻工艺中，以下哪些因素会影响分辨率？（）

A.曝光剂量

B.光源波长

C.掩模版质量

D.基板温度

E.刻蚀工艺

答案：ABC

3.在刻蚀工艺中，以下哪些技术属于干法刻蚀？（）

A.等离子体刻蚀

B.磁控溅射

C.湿法刻蚀

D.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

E.化学湿法刻蚀

答案：AB

4.在半导体器件制造中，以下哪些工艺常用于形成栅极？（）

A.扩散

B.沉积

C.刻蚀

D.光刻

E.离子注入

答案：BCD

5.在薄膜沉积工艺中，以下哪些技术属于物理气相沉积（PVD）？（）

A.磁控溅射

B.蒸发沉积

C.原子层沉积（ALD）

D.化学气相沉积（CVD）

E.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

答案：AB

6.在光刻工艺中，以下哪些方法常用于提高成像质量？（）

A.使用更短波长的光源

B.增大曝光剂量

C.使用高数值孔径的透镜

D.减小曝光剂量

E.使用抗蚀剂预涂剂

答案：ACE

7.在刻蚀工艺中，以下哪些因素会影响刻蚀速率？（）

A.刻蚀气体选择

B.刻蚀温度

C.刻蚀时间

D.刻蚀压力

E.基板材料

答案：ABCD

8.在半导体器件制造中，以下哪些工艺常用于形成金属互连线？（）

A.沉积

B.刻蚀

C.光刻

D.离子注入

E.激光退火

答案：ABCE

9.在薄膜沉积工艺中，以下哪些技术属于化学气相沉积（CVD）？（）

A.等离子体增强化学气相沉积（PECVD）

B.化学气相沉积（CVD）

C.原子层沉积（ALD）

D.磁控溅射

E.蒸发沉积

答案：AB

10.在光刻工艺中，以下哪些因素会影响掩模版质量？（）

A.掩模版材料

B.制造工艺

C.使用寿命

D.清洁方法

E.存储条件

答案：ABDE

三、判断题（每题1分，共10题）

1.在半导体制造中，光刻工艺是形成器件结构的关键步骤之一。（）

答案：对

2.在刻蚀工艺中，干法刻蚀的刻蚀速率通常比湿法刻蚀低。（）

答案：错

3.在薄膜沉积工艺中，原子层沉积（ALD）技术的沉积速率非常快。（）

答案：错

4.在光刻工艺中，使用更短波长的光源可以提高分辨率。（）

答案：对

5.在刻蚀工艺中，刻蚀选择性是指刻蚀速率的比值。（）

答案：对

6.在半导体器件制造中，源极和漏极通常通过扩散工艺形成