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2025年量子半导体超导量子比特制备技术能力考核试卷及答案

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.超导量子比特制备中，常用的约瑟夫森结材料组合为（）

A.铝/氧化铝/铝

B.铌/氧化铌/铌

C.氮化钛/氮化钛/氮化钛

D.铜/氧化铜/铜

答案：A

2.电子束光刻（EBL）在超导量子比特制备中的主要作用是（）

A.实现纳米级图形转移，定义约瑟夫森结尺寸

B.沉积超导薄膜

C.刻蚀基底材料

D.测量量子比特相干时间

答案：A

3.超导量子比特的T1时间主要反映（）

A.量子比特与环境的能量交换速率

B.量子比特的频率稳定性

C.量子比特的初始化速度

D.量子比特的读出效率

答案：A

4.制备超导薄膜时，磁控溅射与电子束蒸发相比，优势在于（）

A.薄膜均匀性更好，适合大面积制备

B.设备成本更低

C.沉积速率更快

D.可制备更厚的薄膜

答案：A

5.超导量子比特芯片封装时，关键要求是（）

A.确保芯片与低温电路的低损耗连接

B.提高封装机械强度

C.降低封装成本

D.增大芯片散热面积

答案：A

6.约瑟夫森结的临界电流Ic与结面积S的关系为（）

A.Ic∝S

B.Ic∝1/S

C.Ic∝S2

D.Ic与S无关

答案：A

7.制备过程中，基底表面的颗粒污染会直接导致（）

A.约瑟夫森结隧穿势垒不均匀，Ic波动

B.超导薄膜厚度不足

C.光刻对准精度下降

D.芯片冷却效率降低

答案：A

8.超导量子比特的频率主要由（）决定

A.约瑟夫森结的电感与量子比特电容

B.基底材料的介电常数

C.芯片封装的寄生电感

D.读出谐振腔的频率

答案：A

9.等离子体刻蚀超导薄膜时，过刻蚀可能导致（）

A.基底材料损伤，引入额外噪声

B.刻蚀速率降低

C.薄膜厚度均匀性提升

D.光刻胶残留减少

答案：A

10.量子比特相干时间T2与T2echo的关系通常为（）

A.T2T2echo

B.T2T2echo

C.T2=T2echo

D.无固定关系

答案：A

二、填空题（每空2分，共20分）

1.超导量子比特制备中，常用的基底材料是______（需满足低介电损耗、高热导率）。

答案：高阻硅（或蓝宝石）

2.约瑟夫森结的隧穿势垒通常通过______工艺形成，其厚度需控制在______量级以实现量子隧穿。

答案：自然氧化（或等离子体氧化）；1纳米

3.超导薄膜的临界温度Tc需______量子芯片工作温度（通常为______），以确保材料处于超导态。

答案：远高于；10-100毫开尔文

4.电子束光刻的分辨率主要受______和______影响，典型分辨率可达10纳米以下。

答案：电子束束斑尺寸；邻近效应校正

5.量子比特退相干的主要机制包括______、______和电荷噪声。

答案：磁通噪声；声子耦合

三、简答题（每题8分，共40分）

1.简述超导量子比特制备中“双层光刻胶工艺”的作用及关键步骤。

答案：作用：通过设计上下层光刻胶的显影速率差异，形成“倒梯形”或“悬空”结构，便于后续金属剥离（Lift-off）时避免残留。关键步骤：①涂覆下层厚光刻胶（如PMMA），上层薄光刻胶（如ZEP）；②电子束曝光，控制剂量使上层胶完全曝光、下层胶部分曝光；③显影时上层胶快速溶解，下层胶缓慢溶解，形成上宽下窄的开口；④蒸发金属后，浸泡剥离液去除光刻胶，保留图形化金属。

2.分析超导薄膜沉积过程中“氧含量控制”的重要性，并说明常用的控制方法。

答案：重要性：过量氧会导致超导薄膜出现绝缘相（如AlOx过厚），降低超导临界电流密度；氧不足则约瑟夫森结势垒不完整，出现漏电流。控制方法：①高真空环境（本底真空1e-7Pa）减少残余氧；②使用纯氩气作为溅射气体（纯度99.999%）；③对靶材预溅射清洗表面氧化层；④通过等离子体氧化时精确控制氧气流量和时间。

3.列举三种表征约瑟夫森结质量的实验方法，并说明各方法的检测参数。

答案：①直流I-V特性测试：测量临界电流Ic、正常态电阻Rn，计算IcRn（反映结的品质因子）；②射频S参数测试：通过谐振腔耦合量子比特，测量频率偏移和线宽，反推结的电感；③相干时间测量（T1、T2）：评估结的噪声水平，间接反映势垒均匀性。

4.解释“磁通噪声”对超导量子比特的影响，并说明制