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硅材料试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.天然界中含量最高的元素是（）。

A.碳

B.氧

C.硅

D.铝

2.硅晶体属于（）晶体。

A.分子

B.离子

C.原子

D.金属

3.硅原子最外层有几个价电子？（）

A.2

B.4

C.6

D.8

4.在硅的晶体结构中，每个硅原子周围最近的硅原子数目为（）。

A.2

B.4

C.6

D.8

5.硅的禁带宽度大约为（）eV。

A.0.7

B.1.1

C.1.9

D.3.4

6.将本征硅变成N型半导体，通常需要掺入哪种元素？（）

A.硼（B）

B.铝（Al）

C.砷（As）

D.锑（Sb）

7.N型半导体中，主要载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.电子和空穴

D.自由基

8.PN结形成的本质是（）。

A.扩散与漂移的平衡

B.掺杂浓度的不同

C.硅的晶体结构不同

D.本征硅与P型硅的混合

9.当PN结加正向电压时，其耗尽层（）。

A.变宽

B.变窄

C.不变

D.消失

10.硅材料中，下列哪种缺陷会显著降低其导电性？（）

A.位错

B.晶格空位

C.代位杂质（如磷）

D.线缺陷

二、填空题（每空1分，共15分。请将答案填在题中的横线上）

1.硅原子的原子序数为______。

2.硅的晶体结构与______元素相似。

3.硅原子采用______杂化方式形成共价键。

4.硅材料常见的晶体缺陷有位错、点缺陷（如空位、填隙原子）和______。

5.掺杂能改变硅的导电性，主要原因是改变了______的数量。

6.PN结处形成的空间电荷区称为______。

7.N型半导体中，电子是多数载流子，空穴是______载流子。

8.硅提纯的主要目的是获得______纯度的硅。

9.硅是______性半导体材料。

10.硅在常温下化学性质______。

三、判断题（每题1分，共5分。请将正确选项填在题后的括号内，正确填“√”，错误填“×”）

1.硅和金刚石具有相同的晶体结构。（______）

2.本征硅中，电子和空穴的数量总是相等的。（______）

3.P型半导体中，空穴是多数载流子。（______）

4.耗尽层是指PN结中没有任何载流子的区域。（______）

5.硅材料中的杂质元素越多，其导电性越好。（______）

四、简答题（每题5分，共25分。请简要回答下列问题）

1.简述硅原子的价电子结构。

2.解释什么是本征半导体，并简述其导电机制。

3.说明掺杂对硅半导体导电性影响的原理。

4.描述PN结形成的物理过程。

5.简述扩散法生长单晶硅的基本原理。

五、计算题（每题10分，共20分。请列出计算步骤并给出结果）

1.已知硅的禁带宽度Eg=1.12eV，计算对应的光子波长是多少纳米？（普朗克常数h=6.626×10^-34J·s，光速c=3.0×10^8m/s）

2.硅样品中掺入磷（P）原子，磷原子浓度为1×10^21/cm^3。假设磷完全电离，且电子迁移率μn=1400cm^2/V·s，空穴迁移率μp=450cm^2/V·s。计算该N型硅样品的电阻率ρ。（本征载流子浓度ni=1.5×10^10/cm^3，电子电量e=1.6×10^-19C）

六、论述题（10分）

论述硅材料成为半导体工业主要基础材料的优势及其面临的主要挑战。

试卷答案

一、选择题

1.B

2.C

3.B

4.D

5.B

6.C

7.A

8.A

9.B

10.B

解析思路：考查硅的基本性质、晶体结构、能带理论、掺杂、PN结等基本概念。需准确记忆硅的元素属性、晶体结构类型（原子晶体）、价电子数、配位数、禁带宽度、掺杂元素类型（N型）、载流子类型（N型为电子多数）、PN结形成原理（扩散与漂移平衡）、正向偏置下耗尽层变化（变窄）、缺陷对导电性的影响（点缺陷通常降低导电性）。

二、填空题

1.14

2.碳

3.sp3

4.面缺陷（或层错等线缺陷）

5.载流子（或