半导体的导电性.pptVIP

半导体的导电性第1页，共32页，星期日，2025年，2月5日实际中，见到：存在破坏周期性势场的作用因素如：*杂质*缺陷*晶格热振动散射第2页，共32页，星期日，2025年，2月5日2、漂移速度与迁移率

n型:电子浓度为n，在外电场下通过半导体的电流密度迁移率：单位场强下电子的平均漂移速度它是表示半导体电迁移能力的重要参数。同理，对p型半导体第3页，共32页，星期日，2025年，2月5日对一般半导体：对本征半导体：第4页，共32页，星期日，2025年，2月5日§4.2载流子的散射1、载流子散射（1）载流子的热运动自由程：相邻两次散射之间自由运动的路程。平均自由程：连续两次散射间自由运动的平均路程第5页，共32页，星期日，2025年，2月5日（2）、载流子的漂移运动在外电场作用下，实际上，载流子的运动是：热运动+漂移运动电流单位时间内一个载流子被散射的次数散射几率P散射的原因：周期性势场被破坏第6页，共32页，星期日，2025年，2月5日2、半导体的主要散射机构1）电离杂质散射：即库仑散射散射几率Pi∝NiT-3/2（Ni：为杂质浓度总和）。a.电离施主b.电离受主第7页，共32页，星期日，2025年，2月5日2）晶格振动散射有N个原胞的晶体有N个格波波矢q一个q=3支光学波(高频)+3支声学波(低频)振动方式:3个光学波=1个纵波+2个横波3个声学波=1个纵波+2个横波单一极值半导体中起主要散射作用的是长波即波长比原子间距大很多倍的格波长声学波中纵波其主要散射作用离子半导体中长纵光学波起主要作用第8页，共32页，星期日，2025年，2月5日长波范围内:声学波的频率与波数成正比--------弹性散射光学波的频率基本上与波数无关--------非弹性散射声学波散射：Ps∝T3/2光学波散射：Po∝[exp（hv/k0T）-1]-1格波的能量效应以hva为单元声子第9页，共32页，星期日，2025年，2月5日（1）等同能谷间散射——高温下显著谷间散射：电子在等同能谷中从一个极值附近散射到另一个极值附近的散射。A、弹性散射电子与长声学波散射B、非弹性散射电子与长光学波散射分类：g散射：从某一能谷散射到同一坐标轴上相对应的另一能谷上f散射：从某一能谷散射到其他能谷上3)其它散射机构第10页，共32页，星期日，2025年，2月5日（2）中性杂质散射——在低温下重掺杂半导体中发生.（3）位错散射——位错密度104cm-2时发生,具有各向异性的特点.（4）载流子与载流子间的散射——在强简并下发生第11页，共32页，星期日，2025年，2月5日§4.3迁移率与杂质浓度和温度的关系（1）平均自由时间和散射几率的关系载流子在电场中作漂移运动时，只有在连续两次散射间的时间内才作加速运动，这段时间称为自由时间。其平均值称为平均自由时间平均自由时间和散射几率P是描述散射过程的两个重要参量设有N个电子以速度v沿某方向运动第12页，共32页，星期日，2025年，2月5日tt+?tN(t)N(t+?t)t到t+?t时间内被散射的电子数为:N(t)P?t则N(t)–N(t+?t)=N(t)P?t当?t很小时上式的解为则t到t+dt