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第1页，共33页，星期日，2025年，2月5日Outline實驗原理晶片清洗方法與步驟由晶片形狀判別雜質型別和方向性熱電效應四點探針的理論與量測四點探針公式推導實驗步驟第2页，共33页，星期日，2025年，2月5日實驗原理晶片清洗的方法與步驟在晶片製造上，晶片清冼是每一個製程步驟所須之必要程序，其目的在使晶片表面之污染物儘可能的降低，使得元件獲得良好而穩定之特性以及製程良好之再現性。污染物的來源與性質分子性如蠟、脂、油此類污染物易使晶片表面導致斥水性，而將離子性污染物覆蓋住，不易清洗，使產品受到損失。離子性晶片在氫氟酸(HF水溶液)或其他蝕刻液浸蝕過甚至於去 離子水中浸洗過而附著於上面的。原子性由蝕刻酸液造成，過渡金屬如金鉑銅等與矽原子反應還原而鍍於晶片表面，影響半導體之各項性質。粒狀非均勻態矽顆粒?碎片、無機顆粒、纖維屑等。第3页，共33页，星期日，2025年，2月5日清洗方法蝕刻法乾式蝕刻和濕式蝕刻溶解法利用適當溶劑溶解附於晶片表面之溶質(雜質)。此法之應用以極性漸近為原則。從非極性溶劑浸洗。再改浸極性較強之溶劑，最後以去離子水浸洗機械法以機械方式清洗晶片表面之污染物，最常用的機械有超音波振盪器、刷洗機。其最主要之功能是清洗附於晶片表面之粒狀污染物化學反應法利用化學反應方法以達到清洗目的，其原則有二：(A)雜質與反應劑反應其產物為水溶性，由於水溶性經去離子水浸冼後達到清洗之目的。(B)雜質與反應劑反應其產物為氣體，由於氣體之產生可揮發，達到清洗之效果。第4页，共33页，星期日，2025年，2月5日業界清洗步驟步驟chemical比例浸泡時間溫度LIFETIMENOTE1H2SO4：H2O2（SPM）3：110~20min75~85℃2~3次去金屬雜質有機物及光阻2DIwater5min3HF：H2O（DHF）1：100不沾水去nativeoxide及金屬雜質4DIwater5min5NH4OH：H2O2：H2O（APM）1：4：2010~20min75~85℃1次去微粒及有機物污染第5页，共33页，星期日，2025年，2月5日步驟chemical比例浸泡時間溫度LIFETIMENOTE6DIwater5min7HCl：H2O2：H2O（HPM）1：1：610~20min75~85℃1次去無機金屬離子8DIwater5min9HF：H2（DHF）1：100不沾水去nativeoxide10DIwater5min11N2DRY第6页，共33页，星期日，2025年，2月5日清洗晶片一般是用丙酮(ACE)、甲醇(methanol)和去離子水(DIwater)來清洗用氮氣烘乾時應保持晶圓固定洗完後放在盛有去離子水或甲醇或乾淨的器皿中底下要墊濾紙第7页，共33页，星期日，2025年，2月5日判斷晶片種類晶圓可以以方向性分成(100)(111)兩種前者多用在MOS製程，後者用於BJT製程另外，也可以以參雜載子分成p-type和n-type兩種如何分辨他們的種類呢？第8页，共33页，星期日，2025年，2月5日矽晶體結構第9页，共33页，星期日，2025年，2月5日晶格座標第10页，共33页，星期日，2025年，2月5日在較小的(6吋150mm以下)晶圓是採用切邊的方式(如下圖)，若標記線和基準線呈45度，則是屬於N型、方向111；若只有基準線存在，則屬於P型、方向111；若標記線和基準線呈180度平行，則是屬於N型、方向1