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《热加工工艺》2022年6月第51卷第12期

共溅射法制备AlSb薄膜及其性质研究

常璐，刘竞艳，王朋伟，田弋纬

(西安汉唐分析检测有限公司，陕西西安710016)

摘要：使用Al、Sb单质靶材，采用共溅射法制备Al、Sb薄膜，并进行原位退火处理以获得AlSb薄膜。采用X射

线衍射仪(XRD)和俄歇电子能谱(AES)分别分析了该薄膜的结构和元素的深度剖析及化学价态。结果表明：共溅射制

备的AlSb薄膜呈立方相结构，沿(111)晶向择优取向。共溅射制备的AlSb薄膜表面含有Al、C、Sb和O元素，其中A1

元素显示电正性，Sb元素显示电负性。

关键词：AlSb；共溅射;AES

DOI:10.14158/j.cnki.1001-3814.

中图分类号:TG174.4文献标识码：A文章编号:1001-3814(2022)12-0077-03

PreparationofAlSbThinFilmsbyCo-sputteringandItsCharacterResearch

CHANGLu,LIUJingyan,WANGPengwei,TIANYiwei

(XianHantangAnalysisTestCo.,Ltd.,Xian710016,China)

Abstract:AlandSbthinfilmswerepreparedbyco-sputteringwithAlandSbtargetsandannealedinordertoobtain

AlSbthinfilms.ThestructuralandchemicalvalencepropertiesofthethinfilmswerestudiedbyXRDandAES.Theresults

showthatAlSbiscubestructureandpreferredorientationalongthe(111)crystaldirection.ThereareAl,C,SbandO

elementsinthesurfaceofAlSbfilms.Alelementshowselectronegativity;Sbelementshowselectronegativityinthefilms.

Keywords:AlSb;co-sputtering;AES

AlSb是闪锌矿结构的III-V族化合物半导体冋,溅射由于设备简单，组分可控,是一种有广泛应用前

其光学间接带隙宽度在300K下是1.62eV,77K下景的薄膜制备方法。有关研究报道尚不多见。本文

是1.75eV与太阳辐射中的可见光光谱匹配度使用共溅射方法制备了AlSb和AlSb:Te薄膜，通过

高，适合作为太阳电池的吸收层,AlSb太阳电池的XRD和AES研究了薄膜的性质。

理论转换效率可高达27%冋。此外,AlSb很有希望

1实验材料与制备方法

应用于高温环境作业下的晶体管、p-n结二极管以

及高能光子探测器等凹。采用磁控溅射沉积系统通过Al、Sb共溅射的方

由于AlSb多晶薄膜制备较难，且易潮解，目前法制备AlSb薄膜，Al靶和Sb靶的原料纯度均为

的研究报道并不多。现有研究表明㈣:区域提纯的99.999%。系统本底真空度为5xl04Pa,溅射Ar气气

AlSb是p型的，掺Se或Te后可以将材料改成n压为2Pa,衬