第01章半导体基础知识.pptVIP

输出特性三个区域的特点:放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=?IB,且?IC=??IB(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCE?UBE，?IBIC，UCES?0.3V(3)截止区：UBE死区电压，IB=0，IC=ICEO?0CBENNP第60页，共104页，星期日，2025年，2月5日例：?=50，USC=12V，RB=70k?，RC=6k?当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？当USB=-2V时：ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEIB=0，IC=0IC最大饱和电流：Q位于截止区第61页，共104页，星期日，2025年，2月5日例：?=50，USC=12V，RB=70k?，RC=6k?当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ICICmax(=2mA)，Q位于放大区。ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEUSB=2V时：第62页，共104页，星期日，2025年，2月5日USB=5V时:例：?=50，USC=12V，RB=70k?，RC=6k?当USB=-2V，2V，5V时，晶体管的静态工作点Q位于哪个区？ICUCEIBUSCRBUSBCBERCUBEICIcmax(=2mA)，Q位于饱和区。(实际上，此时IC和IB已不是?的关系）第63页，共104页，星期日，2025年，2月5日1.3.4晶体管的主要参数前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。共射直流电流放大倍数：工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?IB，相应的集电极电流变化为?IC，则交流电流放大倍数为：1.电流放大倍数和?第64页，共104页，星期日，2025年，2月5日例：UCE=6V时：IB=40?A,IC=1.5mA；IB=60?A,IC=2.3mA。在以后的计算中，一般作近似处理：?=第65页，共104页，星期日，2025年，2月5日2.集-基极反向饱和电流ICBO?AICBOICBO是集电结反偏由少子的漂移形成的反向电流，受温度的变化影响。第66页，共104页，星期日，2025年，2月5日BECNNPICBOICEO=?IBE+ICBOIBE?IBEICBO进入N区，形成IBE。根据放大关系，由于IBE的存在，必有电流?IBE。集电结反偏有ICBO3.集-射极穿透电流ICEOICEO受温度影响很大，当温度上升时，ICEO增加很快，所以IC也相应增加。三极管的温度特性较差。第67页，共104页，星期日，2025年，2月5日4.集电极最大允许电流ICM集电极电流IC上升会导致三极管的?值的下降，当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。5.集-射极反向击穿电压当集-射极之间的电压UCE超过一定的数值时，三极管就会被击穿。手册上给出的数值是25?C、基极开路时的击穿电压U(BR)CEO。第68页，共104页，星期日，2025年，2月5日6.集电极最大允许功耗PCM集电极电流IC流过三极管，因发热而损耗的功率：PC=ICUCE必定导致结温上升，所以对PC有限制。PC?PCMICUCEICUCE=PCMICMU(BR)CEO安全工作区过压区过损耗区第69页，共104页，星期日，2025年，2月5日§1.4场效应晶体管（FET，单极型晶体管）场效应管与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。结型场效应管JFET绝缘栅型场效应管MOS场效应管有两种:N沟道P沟道N沟道P沟道耗尽型增强型耗尽型增强型第70页，共104页，星期日，2025年，2月5日N基底：N型半导体PP两边是P+区G(栅极)S(源极)D(漏极)一、结构1.4.1结型场效应管:导电沟道第71页，共104页，星期日，2025年，2月5日N沟道结型场效应管DGSDGS